来源：半导体产业观察(ID:icbank)整理自“IEEE”的内容，谢谢。

集成电路已经成为消费电子的支柱。它们用于医疗设备、家用电器、个人电脑、手机、汽车等。事实上，芯片的需求如此之大，以至于目前出现了短缺。

20世纪50年代集成电路问世后，出现了这种技术的几种变体。是基于双极晶体管)；发明于上世纪50年代。60年代的CMOS和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)。但在20世纪80年代初，一些应用需要全部三种芯片——，这需要更高的电压和更快的开关速度。

1985年，意大利迷恋项链安扎的半导体制造商SGS(现意法半导体)发明了BCD芯片，采用超集成硅栅技术。BCD芯片结合了双极、CMOS和DMOS技术——，因此得名。这种芯片有助于降低功耗，减少电磁干扰，实现更快的开关速度。根据EE Times Asia的一篇文章，这项技术已经被汽车、计算机和工业制造商采用，使芯片设计者能够灵活地将电源、模拟和数字信号处理结合起来。

5月18日，超集成硅栅技术获得IEEE里程碑纪念。电气和电子工程师协会的意大利分会对这一提名表示赞赏。

ST公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery在揭牌仪式上表示，“在20世纪80年代初，将双极晶体管的高精度能力与CMOS的数字控制和DMOS的高功率优势相结合，是一项非凡的成就。”“我们自豪地欢迎这个IEEE里程碑，这是对ST的BCD发明的认可，也是人类一系列先进技术之一。”

该里程碑项目由IEEE历史中心管理，并得到捐助者的支持，以表彰世界各地杰出的技术发展。

BCD的诞生

随着技术的发展，芯片的压力越来越大。根据《Engineering and Technology History Wiki》中的一篇文章，芯片的低效率限制了器件的开关模式。传送到电子设备的能量也被抑制。

意法半导体意识到其双极晶体管、互补金属氧化物半导体和DMOS芯片不足以运行某些应用。BCD晶体管研究团队负责人、IEEE成员Bruno Murari在奉献仪式上表示，我们需要更强的设备。

20世纪80年代初，他们成立了一个研究小组，研究如何将双极、互补金属氧化物半导体和DMOS技术结合起来。包括芯片专家安东尼奥安德烈奥尼、克劳迪奥孔特罗和Paola Galbiati。

Murari说：“我们的目标是在符合摩尔定律的数字逻辑控制下提供数百瓦的电能。”开发的芯片还将支持精确的模拟功能，并将功耗降至最低，以消除散热器。

Murari拜访了客户，以更好地了解他们需要什么样的芯片功能。他说，显然，他们想要DMOS的功率和性能，以及CMOS和双极晶体管提供的控制逻辑、精度和低噪声。通过结合芯片技术，该公司将能够在单个芯片上集成异质晶体管和二极管。

虽然团队知道这些需求是什么，但是很难提供。

Murari发现Castellaneta工厂的研究人员开发了一种带有V形逻辑门的DMOS晶体管，这是一种小型晶体管组件。Murari意识到这种设计可以克服双极晶体管现有的功率限制，并将其用作BCD芯片的基础。

Murari说：“虽然很难在单个芯片上结合双极晶体管、CMOS和DMOS，但这是一项非常令人兴奋的工作。”“每个人都致力于这个项目。”

1985年，公司推出首款BCD超级集成电路——l 6202全桥电机驱动器。它的电压为60伏，输出电流为1.5毫安，开关功率为300千赫。

奇瑞表示，时隔35年，意法半导体已经生产了9代BCD芯片和500万颗芯片，销售了400亿颗BCD芯片。

里程碑牌匾将在米兰的ST总部展示。牌匾上写着：

SGS(现为意法半导体)是超集成硅栅技术的先驱，该技术将双极型、CMOS和DMOS (BCD)晶体管结合在单个芯片上，用于复杂和高功耗的应用。第一个BCD超级集成电路，名为L6202，可以在300千赫下控制高达60V-5A。随后，这项技术被广泛应用于汽车、计算机和工业应用，使芯片设计人员能够灵活可靠地将电源、模拟和数字信号处理结合起来。

本论文是在IEEE历史中心的帮助下完成的，该中心得到了IEEE基金会的资助。

*免责声明：本文由作者原创。文章的内容是作者个人的看法。转载《半导体行业观察》只是为了传达一种不同的观点，并不代表《半导体行业观察》同意或支持这种观点。如有异议，请联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为大家分享的第2704期内容。请注意。

晶圆|集成电路|设备|汽车芯片|存储|美国|华为|苹果