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低功耗神级显卡(低功耗稳压器)

时间:2023-05-05 23:51:38 阅读:105541 作者:2521

随着超摩尔的口号越来越响亮,物联网(IoT)和智能可穿戴设备逐渐兴起。这些器件中不可或缺的部分就是MEMS传感器,所以前面我花了两节课来讲一些关于MEMS的热门知识,后面我会继续和大家做深入的学习。

但无论是可穿戴设备还是智能手机,最重要的还是怕天天充电,传感器的供电也需要依靠Energy-Harvester将外界的光能/动能/磁能转化为微弱的电能,可见其功耗要求有多重要。这就是为什么智能手机使用ARM处理器架构而不是英特尔CPU的原因,因为ARM架构注重功耗,而英特尔架构注重性能。

在移动设备和可穿戴设备中,除了ARM处理器架构实现低功耗之外,最重要的是电源管理IC。这是什么?其实是管家管理每个芯片的工作电压。它负责将锂电池输出的3.7V电压输出到每个芯片的Vin端,供芯片工作。传统电源管理是交流/DC(交流转直流)或DC/DC(直流转直流)。为什么会有另一个LDO?

1.什么是LDO?

也就是LDO低压差稳压器,它的卖点是“低压差”,因为传统的线性稳压器(78xx)需要输入电压比输出电压高2~3V以上,否则将无法正常工作。在以下情况下没有优势,这就是为什么生产LDO降压芯片或电路模块。

1)当我们的锂电池为3.7V,芯片为1.8~3.3V时,如何通过穿通线性稳压器降压?

2)我们锂电池的电压是随着功率的降低而逐渐降低的,在输入输出小于2V的情况下是不会工作的,而只有LDO才能让电池耗尽油和光。

3)所有半导体厂商都知道Mix-signal有核心器件和IO器件,比如5V/3.3V、3.3V/1.8V,那么IO到核心的电压差只有1.7V的时候,我怎么降压1.5V呢?

2.电路原理和特点:

LDO的主要电路图如下。其实很简单。只要你在学校学过一些电路,就能理解。它的核心在于圈里的晶体管(可以是MOSFET,也可以是BJT)。之所以称之为线性稳压器,是因为晶体管工作在线性区域,可以通过控制栅极电压来控制沟道电阻,达到控制输出电压的目的,所以Vout=Vin-I*Rlin。简单~但只能实现降压不能升压。如果你站出来,你只能选择DC-DC或电荷泵。

但是如何自动调整Vout呢?这就需要将如图所示的由两个电阻R1/R2组成的采样电压连接到误差放大器的非反相端,然后在误差放大器的反相端外接一个参考电压(极性不能反相或者不能放大,如果是NMOS,采样电压和Vref之间的电压差(可以通过带隙产生)会被放大输出到栅极来调节晶体管的输入输出特性,达到调节Vout的效果。这是一个动态校准过程,因此称为稳压器,而不是降压/变压器。是不是很神奇?

原则上,任何具有线性特性的器件都可以使用,因此BJT和MOSFET都可以使用。但是BJT主要采用的是MOSFET,因为是电流控制的,不符合低功耗的要求,而且驱动电流比较大,所以Vin和Vout的差值还是太高了。是用NMOS还是用PMOS主要看电压差,通常用PMOS。由于PMOS的下拉电压为饱和压降Vdsat=Vin-Vout约为200mV,而NMOS的下拉电压受误差放大器输出电压的限制(误差放大器的输出电压只能达到其电源电压,即LDO的输入电压),因此下拉电压为NMOS的Vgs(Vdsat Vth),因此PMOS没有优势。当然,也可以引入电荷泵来提高误差放大器的电源电压来解决问题,但复杂度和成本都有所增加,但NMOS调节器的PSRR(电源抑制比)优于PMOS。

3.LDO参数:(参考瑞奇泰克: LDO选型指南)

1)掉线电压:这个应该没什么好说的。这就是我们卖的~ ~理论上,越低越好。一般情况下,PMOS可以达到200mV。

2) PSRR:这是LDO的经典参数Power Supply Ripple Rejection,被很多LDO芯片用来衡量LDO对不同频率输入电源纹波的抑制能力,体现了LDO保持输出电压稳定无噪声、无电压波动的能力(抗干扰能力)。那

计算公式为输出电压和输入电压纹波幅度的比值,所以PSRR值越低越好。(反之则反)

3) 超低静态电流Iq(Quiescent):这种主要应用在传感器一类的元件中,大部分时间都是休眠的,所以在静止状态下的电流是待机的主要杀手,它主要是直接对地进行电流测试(一般几个uA)。

4) Vin MIN: 最小值决定了你是否能开启LDO的调整管,因为当Vin小于1V时(RTK standard),可能Vin-Vout无法开启调整管则无法工作,此时必须外接charge pump给误差放大器了,那我们就干脆选用NMOS做调整管了。

5) 线性调整率/负载调整率:

a. 线性调整率(Liner regulation):输出电压的变化与输入电压的变化比值(ΔVout/ΔVin)。

b. 负载调整率(Load regulation):指输出电压随负载电流的变化情况(ΔVout/ΔIout)。

这两个参数都对应电路的稳态响应特性,通常情况下,输出电压随输入电压的降低及负载电流的增大而降低。要想提高线路及负载调整率,较为直接的方法是提高环路增益。

4、LDO与DC-DC的差别:

所谓DC-DC其实就是直流变直流电压,当然LDO也算是DC-DC的一种,只是LDO只能实现降压。

一般的DC-DC主要内部通过自激振荡电路先由DC转成AC交流,所以外面需要电感和电容实现LC振荡(而LDO只要一个滤波电容),再在输出端通过积分滤波从AC回到DC,而它的电压变化主要是在AC电源期间实现升压(Boost)、降压(Buck)、反向等,但是由于转换两次会产生损耗,所以如果需要提高效率可以从这方面入手,但是它的效率wxdyg远高于LDO。(举个例子为什么电网输送一定是高压传输低压入户?就是为了降低传输损耗。)

除了压降比较低之外,LDO的另外一个卖点是“稳”,做模拟电路的人都知道输出端主要变数在于负载,如果负载发生变化的时候输出电压是不是也跟着变化了(基尔荷夫电压定律),而此时这个动态的稳压电路就可以自动调节来快速做出回应保持Vout不变。

如果输入比输出高>3V的时候建议还是用传统的DC-DC(开关模式转换器),因为高压输入低压输出模式的功率消耗比较低,所以转换效能比较高,因为Ploss=(Vin-Vout)*Iload。

DC-DC的开关频率会导致电源噪声很大,所以PSRR会比LDO差,所以在敏感的模拟(Analog)电路需要选择纯净的LDO。

5、LDO的制程注意点:

1) 调整管:这个晶体管的Analog特性要非常好,线性度,导通电阻,跨导特性,还有低漏电。

2) 误差放大器:因为它要和参考电压比较,所以mismatch很重要。

3) 取样电阻:它直接决定了Vout电阻取样控制gate的特性,以及静态对地电流。

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