以前使用的是ARM系列的单片机，现在由于产品的需要，使用的是合泰单片机(HT67F2360 )，但在开发中发现有很多不同。
一、开发环境中的一些差异#
arm系列单片机可以直接用keil连接选定的芯片进行编译、调试和写入。 这个泰国单片机，ht-ide不能直接写入芯片。 ht-ide只能向专用的模拟开发板写入程序。 模拟开发板有两块板，主板和子板，不同系列的单片机，用不同的子板进行模拟。 悲剧的是，我没有开发模拟板。 程序启动了。 必须使用官方书写工具hope3000 for e-link将mtp文件写入特定的芯片。 久违地找到hope3000的命令行工具，每次写入时，都要多次点击鼠标。 选择文件、选择电压并下载，效率不高。
二、编译器、连接器的一些区别
HIT-IDE编译器有三个版本： V1、V2和V3。 这三个版本的差异不仅在于性能的差异，还在于许多语言支持的差异。
三种版本的编译器，c语言的基本数据类型的size(bit )相互不一致。 此外，任何版本都与ANSI C不完全匹配。
中断函数支持的差异。 V1不支持中断处理函数调用函数。 V2，V3支持中断处理程序函数调用函数，但被调用的函数必须定义为#pragma nolocal。 此外，中断调用的函数不能与在main中调用的函数相同，也不能在中断之间调用相同的函数(包括间接调用)。 否则，RAM空间将被重复使用。
V1 V2不支持静态变量，V3支持。
默认情况下，未初始化的全局变量不会初始化为0。 如有必要，请使用工程编译选项进行检查。
缺省情况下，枚举类型不是字节。
三.内存和间接寻址
该单片机没有表示所有内存地址的统一虚拟地址空间。
内存包括闪存程序存储器、数据存储器、特殊功能寄存器和EEPROM数据存储器。
数据存储器分为几个Sector，操作不同的数据存储器，切换到不同的Sector。
例如，液晶屏内存的地址位于Sector 4上，要操作液晶屏内存，请先切换Sector，然后以间接寻址方式操作存储单元。
EEPROM数据存储器独立于程序存储器和数据存储器，不能像其他类型的存储器那样进行寻址。
地址寄存器EEA、数据寄存器EED、控制寄存器EEC这3个寄存器用于控制内部EEPROM数据存储器的动作。
EEA和EED位于Sector中，可以直接访问。 EEC位于Sector1，必须间接访问。
四.示例代码#
液晶屏内存写入操作example
voidLCD_write_mem(uint8_taddr，uint8_t val )。
{
_mp1h=0x04； //sector
_mp1l=addr；
_iar1=val；
_mp1h=0x00；
}
EEPROM内存操作接口example :
uint8_ t EEPROM _ read _ byte (uint8_ taddr ) )。
{
uint16_t i=0；
//间接访问_eec
_mp1l=0x40；
_mp1h=0x01；
_eea=addr；
_iar1 |=0x02； //_rden=1；
_iar1 |=0x01； //_rd=1
_emi=1；
while () _IAR10x01 ) ) ) i 1000 ) )
GCC_Delay(100；
_iar1=0xFD；
_mp1l=0x00；
_mp1h=0；
return _eed；
}
void EEPROM _ write _ byte (uint8_ taddr，uint8_t data )。
{
uint16_t i=0；
_emi=0；
//间接访问_eec
_mp1l=0x40；
_mp1h=0x01；
_eea=addr；
//_eea=addr；
_eed=data；
_iar1 |=0x08； //_wren=1；
_iar1 |=0x04； //_wr=1
_emi=1；
//wait _wr
while () _IAR10x04 ) ) ) i 1000 ) )
GCC_Delay(100；
_mp1l=0x00；
_mp1h=0；
_iar1=0x7； //_wren=0
_emi=1；
}