雷锋。com:业内普遍认为，未来最大的价值可以从数据中挖掘，但除了强大的计算能力，数据的存储也非常关键。目前，新记忆也是龙头企业关注的一个方向。兰开斯特大学的研究人员最近发表了一篇论文，称他们研究的新存储器可以具有稳定、高速和超低功耗的优势。
鉴于当前的数字技术能源危机，兰开斯特大学的研究人员开发了一种新型计算机，可以解决这个问题，并申请了专利。
这种新型存储器有望取代动态随机存取存储器(DRAM)和闪存驱动器。而强大的超低能耗计算时代即将到来。你准备好了吗？
研究人员完全有理由对这一进展感到兴奋。物联网在家庭和办公室的出现极大地方便了我们的智慧生活，但以数据为中心也会消耗大量的能源。无论是连接智能设备、扬声器还是其他家用电器，都需要能量来处理所有“数据”，以提供最佳功能。
事实上，能源消耗是一个非常受关注的问题，高效照明和电器节省的能源实际上可以通过更多地使用计算机和小工具来节省。根据一项研究，到2025年，数据洪流预计将消耗全球五分之一的电力。
新开发的电子存储设备可以超低能耗服务于每个人的日常生活。这种低功耗意味着存储设备不需要启动，即使按键被切换，也可以立即进入节能模式。
正如兰开斯特大学物理学教授Manus Hayne所说：“通用存储器稳定地存储数据，人们普遍认为，轻易改变存储的数据是不可行的，甚至是不可能的。新设备证明了它的矛盾。”
“理想是将两者的优点结合起来而没有缺点，这是我们已经证明的。我们的设备有一个固有的数据存储时间，这一时间有望超过宇宙的年龄，但它存储或删除数据的能量是DRAM的100倍。”马努海恩说。
为了解决和创造这种新的存储设备，研究人员使用量子力学来解决长期稳定的数据存储和低能量的写入和擦除之间的困境。
多家公司对新获得专利的新设备和研究表示了兴趣，新存储设备有望取代1000亿美元的动态随机存取存储器(DRAM)市场。
这项技术是如何实现的？雷锋。com找到了兰开斯特大学研究人员发表的论文《Room-temperature Operation of Low-voltage, Non-volatile, Compound-semiconductor Memory Cells》，可以进一步了解这项技术。
文章指出，虽然不同形式的传统(基于电荷的)存储器非常适合计算机和其他电子设备，但静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和闪存具有互补的特性，分别非常适合高速缓存、动态存储器和数据存储。然而，他们都有自己的缺点。这意味着市场需要新的记忆。特别是，事实证明，同时实现稳定性和高速低电压(低能量)的矛盾要求具有挑战性。
研究团队报告了一种基于-族半导体异质结构的无氧化浮栅存储单元，它具有无结沟道和存储数据的无损读取。非易失性数据至少保持100000s，利用InAs/AlSb的2.1eV导带偏移和三势垒共振隧穿结构，可以与2.6V的开关组合使用。低电压工作和小电容的结合意味着单位面积的固有开关能量分别比动态随机存取存储器和闪存小100倍和1000倍。因此，该器件可以被认为是一种具有相当潜力的新型存储器。
具体来说，这是一种新型低压化合物半导体，基于电荷非易失性存储器件的概念设计、建模和制造，适用于室温操作。利用AlSb/InAs惊人的导带阵列实现电荷保持并形成共振隧道势垒，使研究团队能够证明低电压(低能耗)操作和非易失性存储。该器件是由InAs/AlSb/GaSb异质结构组成的FG存储结构，其中InAs用作FG和无结沟道。研究团队通过仿真验证了器件的工作原理，给出了器件的关键存储特性，如编程/擦除状态的保持特性，并给出了在单个器件上的实验结果。
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