1 .内存是计算机实现存储功能的部件，用于存储程序和数据，是微机系统的重要组成部分。 存储器容量越大，可存储的信息越多，表示计算机的处理能力也越能充分发挥。 内存系统由外部存储器和内部存储器两部分构成。 其中，内部存储器用于存储当前正在执行的程序和数据，一般由一定容量的速度高的存储器构成，CPU能够直接用指令对内部存储器进行读取/写入操作。 内部存储器的分类如下。
2.RAM，Random Access Memory的缩写，翻译为随机内存。 目前，RAM专门用于指计算机存储器——易失性半导体存储器。
2.1.SRAM静态随机存储器：存储单元通过锁存器存储数据。 参照图1。 这种存储器被称为“静态”RAM，因为这样的电路配置可以保持状态而不需要定时刷新充电(断电时丢失数据)。 与DRAM相比，SRAM的特点是只要不拆除工作电源，保存的信息就不会丢失； 读出信息时不会破坏原来保存信息，只要写入一次就可以多次读出； 它适用于存取速度快、功耗大、存储容量小、不需要大容量存储装置的系统，如单片机、机床存储器和微机高速缓存。 SRAM根据其通信方式分为同步(SSRAM )和异步SRAM，相对异步SRAM被广泛使用。
图1 SRAM存储单元
2.2 ) dram动态随机存取存储器)存储单元以大容量电荷表示数据，有电荷表示1，无电荷表示0。 参照图2。 但是，随着时间的推移，表示1的电容器放电，表示0的电容器吸收电荷，因此需要定期刷新。 这是“动态”一词所表示的特性。
图2 DRAM存储单元
2.3 ) DRAM )根据DRAM的通信方式，分为同步和异步两种。 这两种方式根据通信时是否需要使用时钟信号来区分。 由于使用时钟同步的通信速度快，同步DRAM的使用变宽，这样的DRAM被称为SDRAM (同步DRAM )。
2.4 ) DDR SDRAM )为了进一步提高SDRAM的通信速度，设计了DDR SDRAM内存(双数据SDRAM )。 其存储特性与SDRAM相同，但SDRAM表示仅在上升沿有效的数据，在一个时钟周期内只能表示一个共享数据； 另外一方面，DDR SDRAM在时钟上升沿和下降沿分别表示一个数据，也就是说，能够以一个时钟周期表示2位数据，在时钟频率相同的情况下，提高两倍的速度。 DDRII和DDRIII在通信方式上没有区别，主要是提高了通信同步时钟的频率。 目前电脑上常用的记忆棒是DDRIII SDRAM内存，一个记忆棒包含多个DDRIII SDRAM芯片。
2.5 ) DRAM和SRAM应用)比较DRAM和SRAM结构，DRAM结构非常简单，因此在生产相同容量的内存时，DRAM成本更低，集成度更高。 另一方面，DRAM的容量结构决定访问速度低于SRAM。 特性的比较如表1所示。 在实际应用中，SRAM仅用于CPU内部的缓存，而DRAM通常用于外部扩展内存。
表1 DRAM与SRAM的比较
特性
DRAM
SRAM
访问速度
太晚了
好快
集聚度
很贵
t:0cm;">较低生产成本
较低
较高
是否需要刷新
是
否
3.ROM，“Read Only Memory”的缩写，意为只能读的存储器，现在一般用于指代非易失性半导体存储器。
3.1. MROM：MASK(掩膜) ROM，存储在内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化，生产后就不可修改，其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大，数据不需要修改的场合，还有应用。
3.2. OTPROM：One Time Programable ROM，一次可编程存储器，出厂时内部没有资料，用户可以使用专用的编程器将资料写入，一经写入，不能更改。
3.3. EPROM：Erasable Programmable ROM，可重复擦写的存储器，解决了PROM芯片只能写入一次的问题，使用紫外线照射芯片内部擦除数据，擦除和写入都要专用的设备，现在基本被EEPROM取代。
3.4. EEPROM：Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除存储器。可以重复擦写，擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需整个芯片擦除。现在主要使用的 ROM 芯片都是EEPROM。
3.5.FLASH 存储器：又称闪存，也是可重复擦写的储器，容量一般比EEPROM 大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位。如有的 FLASH 存储器以 4096 个字节为扇区，最小的擦除单位为一个扇区。根据存储单元电路的不同， FLASH 存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH，见表2。
表2 NOR FLASH与NAND FLASH特性对比
特性
NOR FLASH
NAND FLASH
同容量存储器成本
较贵
较便宜
集成度
较低
较高
介质类型
随机存储
连续存储
地址线和数据线
独立分开
共用
擦除单元
以“扇区/块”擦除
以“扇区/块”擦除
读写单元
可以基于字节读写
必须以“块”为单位读写
读取速度
较高
较低
写入速度
较低
较高
坏块
较少
较多
是否支持XIP
支持
不支持
NOR与NAND 的共性是在数据写入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇区/块”为单位的。而NOR与NAND特性的差别，主要是由于其内部“地址/数据线”是否分开导致的。
由于NOR的地址线和数据线分开，它可以按“字节”读写数据，符合CPU的指令译码执行要求，所以假如NOR上存储了代码指令，CPU给 NOR一个地址， NOR就能向CPU返回一个数据让CPU执行，中间不需要额外的处理操作。
而由于NAND的数据和地址线共用，只能按“块”来读写数据，假如NAND 上存储了代码指令，CPU给NAND地址后，它无法直接返回该地址的数据，所以不符合指令译码要求。表2中的最后一项“是否支持XIP”描述的就是这种立即执行的特性(eXecute In Place)。
若代码存储在NAND上，可以把它先加载到RAM存储器上，再由CPU执行。所以在功能上可以认为 NOR是一种断电后数据不丢失的RAM，但它的擦除单位与RAM有区别，且读写速度比RAM要慢得多。
另外， FLASH的擦除次数都是有限的(现在普遍是10万次左右)，当它的使用接近寿命的时候，可能会出现写操作失败。由于NAND通常是整块擦写，块内有一位失效整个块就会失效，这被称为坏块，而且由于擦写过程复杂，从整体来说NOR坏块更少，寿命更长。由于可能存在坏块，所以FLASH存储器需要“探测/错误更正(EDC/ECC)”算法来确保数据的正确性。
由于两种FLASH存储器特性的差异，NOR FLASH一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合，包括SD卡、 U盘以及固态硬盘等，都是NAND FLASH类型的。