模拟CMOS第1章模拟电路基础设计文章目录模拟CMOS第1章模拟电路基础设计1.1模拟电路研究的重要性1.2模拟集成电路研究的重要性1.3CMOS集成电路研究的重要性1.4本书的特点1.5电路设计的一般概念1.5.1抽象级1.5.2鲁棒模拟电路设计1
1.1模拟电路的重要性自然界的信号处理数字通信磁盘驱动电子学无线接收器光接收器传感器微处理器和存储器的研究1.2模拟集成电路的重要性研究1.3CMOS集成电路的重要性1.4本书的特点直观严密的1.5电路设计的一般概念1.5.1抽象级器件物理
PVT (处理、电压、时间)=制造工艺、电源电压、温度、环境变化及其他
工艺角(process corner )在不同晶片和不同批次之间，由于掺杂、蚀刻、温度等外部因素导致的MOSFETs参数变化范围比较广。 为减轻设计困难，必须将器件性能限制在一定范围内，丢弃超出该范围的芯片，严格控制预期参数的变化。 工艺角在该性能范围内。 电压： 1V 10%、1V、1V-10%温度：-40C、0C、25C、125C时间序列分析中：最高条件(最佳工况) ——速度最快时； 最坏情况(Worst Case ) ——速度最慢时，在PVT变更范围内，设计电路性能的变更必须在允许范围内。
1.5.3码集成电路中的电压和电流一般用偏置部分和信号部分书中码显示电路的低频增益表示：电路的高频增益表示：电压、电流大部分用大写字母表示