1. keil编译介绍
使用keil开发单片机时，运行程序时，output输出框中将显示下图的结果。
图1 keil输出框
其中，Compiler编译器使用的是V5.06版本。 程序首先编译、链接和链接，生成可执行代码。 要下载到单片机Flash，必须将其转换为二进制(csdss )或十六进制(hex )文件。 具体流程如下：
图2 keil编译过程
值得注意的是，编译后不会给变量分配地址。 o文件。 只有在通过链接器链接后才会为变量分配地址，链接角色被认为很容易管理。 链接的代码分为代码、RO-data、RW-data、阳光冷面-data部分。 从这里开始，这是很久以前就成为话题的问题，每个区都在做什么呢？
代码区域是指程序中的代码，即函数体的大小。 请注意，代码中也包含程序中未使用的函数。 也就是说，由于会占用FLASH空间，因此请删除未使用的函数，以避免占用过多的FLASH空间。
RO-DATA:RO是只读的意思，程序内的只读变量(即带Const的)和初始化的字符串等
RW-DATA :特别是初始化的可写全局/静态变量；
阳光凉面-DATA :未初始化的可写全局/静态变量。 请注意，初始化为0也会被视为未初始化，其中还计算使用的堆空间和堆栈空间。
我以前考虑的问题之一是我的局部变量存储在哪里。 其实是的。 局部变量只在程序运行时生成。 程序未运行时，在即将关闭单片机电源之前，没有局部变量。 这与程序的两种状态记忆状态和运行状态有关。
图3程序的存储状态和执行状态
存储状态：将程序下载到Flash时，实际上只下载了代码ro-data rw-data的内容。 也就是说，如果断电，闪存中的内存只包含三张代码ro-data rw-data。
运行状态：接通电源后，程序运行时，首先从特定地址启动程序，启动时RW-data的数据加载到SRAM中。 (启动文件中有正在做这件事的代码。 keil帮我做了这件事。 )单片机的RO区域不需要加载到SRAM中，内核直接从FLASH读取指令并执行。 阳光冷面-data的数据怎么办？ 对于初始值为0的全局变量，必须将其编写，因为它将在代码区域中调用该全局变量。 正如运行程序时看到的那样，你是初始值为0的全局变量。 然后在SRAM区域分配了固定区域的地址。 对于局部变量，大小是自动分配的，不需要我们管理。 我忍不住想问一下，阳光凉面-data没什么用。 那其实有统计作用。 SRAM的特定区域是运行日光的凉面-data数据，RW-DATA日光的凉面-data程序的执行全部占用SRAM的长度，生成局部变量的堆栈空间包含在日光的凉面-data区域的范围内。
图4程序的结构
计算机系统的APP应用程序的执行过程类似，但计算机系统的程序以存储状态在硬盘上，运行时将上述RO区域(代码、只读数据)加载到存储器中以加快执行速度，或比物理存储器由于单芯片没有MMU，无法支持Linux或Windows系统。 在这里
2 .了解2. Flash和Sram
内存是计算机结构的重要组成部分，内存是存储程序代码和数据的部件，有内存计算机就具有存储功能。 根据存储介质的特性，可以分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两种。 易失性和非易失性是指内存断电后，其中存储的内容是否会丢失。 换句话说，易失性存储器的速度比非易失性存储器快。
2.1易失性存储器
根据RAM的物理存储机制，可以分为dRAM (动态)和ram (静态)两种。 首先，对现在使用的DRAM进行说明，由于其通信定时是利用时钟进行同步通信，所以被命名为Synchronous DRAM。 那么，为了后期进一步提高SDRAM的通信速度，设计了DDR SDRAM存储器(Double Data Rate SDRAM )，然后开发了2、3、4代的SDRAM，另外，静态随机存储器SRAM的存储单元是锁存器
2.2非易失性存储器
半导体类的非易失性存储器有ROM和FLASH，但现在感觉ROM的使用少了。 很多似乎都被FLASH取代了。 之前学单片机时，用的外置EEPROM是一种ROM，很少介绍。 FLASH的容量一般远大于EEPROM，擦除时通常以多个字节为单位。 部分闪存以4096字节为扇区，最小擦除单位为1扇区。 根据存储单元电
路的不同，FLASH存储器又分为NOR FLASH和NAND FLASH。NOR与NAND的共性是在数据写入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇区/块”为单位，而NOR与NAND特性的差别，主要是其内部“地址/数据线”是否分开导致的。
由于NOR的地址线和数据线分开，它可以按“字节”读写数据，符合CPU的指令译码执行要求，所以假如NOR上存储了代码指令，CPU给NOR一个地址，NOR就能向CPU返回一个数据让CPU执行，中间不需要额外的处理操作。所以，在功能上可以认为NOR是一种断电后数据不丢失的RAM，但它的擦除单位与RAM有区别，且读写速度比RAM要慢得多。
由于NAND的数据和地址线共用，只能按“块”来读写数据，假如NAND上存储了代码指令，CPU给NAND地址后，它无法直接返回该地址的数据，所以不符合指令译码要求。若代码存储在NAND上，可以把它先加载到RAM存储器上，再由CPU执行。
目前，单片机SOC内部普遍使用的是SRAM和NorFlash。
Flash，SRAM寄存器和输入输出端口被组织在同一个4GB的线性地址空间内，可访问的存储器空间被分成8个主要块，每个块为512MB。存储器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片厂商或用户分配，给存储器分配地址的过程就称为存储器映射，如果给存储器再分配一个地址就叫存储器重映射。NRF52832的内存映射如下图所示，
在nordic芯片中FLASH存储编译后下载的程序，SRAM是存储在程序运行中的临时创建数据(ARMv7，哈弗结构)，故只要你不外扩存储器，写完的程序中只要在芯片上运行起来，所有数据也就会出现在这两个存储器中。Flsah或者Ram内部又会根据不同的功能把他们分为多个模块。
在网上看到一张图，感觉很有意思。这张图是STM32程序下载到Flash上的存储结构。如果你知道了这些具体地址，及地址块的作用，就可以做BootLoader以便产品后期升级。
原文：https://www.cnblogs.com/39950436-myqq/p/11387179.html