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电子陀螺仪传感器原理,如何调校mems陀螺仪

时间:2023-05-04 14:52:51 阅读:127751 作者:1513

目录0 .前言1. MEMS加速度计2. MEMS陀螺仪3. MEMS磁强计4 .参考资料

0 .前言

本文是对HowToMechatronics1网站上关于MEMS加速度计、陀螺仪和磁强计的文章的翻译和补充。

1. MEMS加速度计1MEMS加速度计的原理概略图如下图所示。 质量块质量块由弹簧springs支撑,仅在预定方向上位移,并检测特定方向上的加速度; 绿色的部分是固定的电极板固定板。 关于检测原理,当质量体感到加速度时,向与其对应的方向位移,由固定电极板构成的两个平行平板电容器C1、C2的电容的大小发生变化,如果检测出其电容值的大小,则可以换算为相应的加速度。

2. MEMS陀螺MEMS陀螺的检测原理与MEMS加速度计相似,但需要与cbdkl效应(Coriolis Effect )相对应的cbdkl力(Coriolis Force )。

以下内容引用自维基百科力量。

cbdkl力来源于物体运动所具有的惯性。 在旋转系统中进行直线运动的质点,在惯性的作用下,有继续沿着本来的运动方向运动的倾向,但由于系统本身在旋转,经过一定时间的运动后,系统内的质点的位置发生变化,但从旋转系统的角度来看,其本来的运动倾向的方向会发生一定程度的偏移。

如上图所示,一个质点相对惯性系统进行直线运动时,其轨迹相对于旋转系统为曲线。 一般认为有立足于旋转系统,将质点的运动轨迹做成曲线的力。 这个力就是cbdkl力。

根据牛顿力学的理论,以回转系统为参照系,这种质点直线运动偏离原来方向的趋势归结为一个作用力的作用,这就是cbdkl力。 从物理学角度考虑,cbdkl力与离心力一样,表明惯性作用在非惯性系统内,而不是实际存在的力。

自觉的糕奥利力计算公式为以下:

f=2m( ) ) vec ) f_c )=-2m (vec ) ) omega ) times (vec ) v ) ) fc=2m (v ) ) ) ) ) ) )

式中的F c vec{F_c} Fc为cbdkl力; m是质点的质量,v(vec ) v是质点的运动速度; (vec(omega )是旋转系统角速度; (times)表示两个向量的外积(外积)符号。

以上关于cb

dkl力的介绍,再看陀螺仪的原理就很容易了。如下图所示,绿色箭头表示输入的角速度,右手螺旋一握可知,绿色箭头内的虚线往上为角速度方向;红色箭头表示质量块的驱动速度,由此产生的cbdkl力为蓝色箭头,其方向可以参考上面公式 F c ⃗ = − 2 m ( ω ⃗ × v ⃗ ) vec{F_c}=-2m( vec{omega} times vec{v}) Fc​ ​=−2m(ω ×v ),右手由角速度方向(虚线向上)握向速度(红色箭头)的反向(蓝色箭头)。

下面介绍陀螺仪内部的原理简图。如下图所示,仔细看三个有字的地方,左边是驱动质量块运动的方向driving direction,右边是输入角速度方向,中间是质量块以及传感器的敏感方向。
由于引入了科氏力(cbdkl力),容易解释质量块在传感方向上会产生位移,由此引起平行板电容器电容值的改变,检测电容值即可换算得到输入的角速度。

注意:驱动方向是来回往复的,质量块在驱动方向的位移可以用一个方程来描述,类似2

对上式关于时间求导可以得的驱动速度 v ⃗ vec{v} v ,由于质量块质量 m m m已知,将其都代入 F c ⃗ = − 2 m ( ω ⃗ × v ⃗ ) vec{F_c}=-2m( vec{omega} times vec{v}) Fc​ ​=−2m(ω ×v )中可知,只需检测出科氏力 F c ⃗ vec{F_c} Fc​ ​即可得到输入的角速度 ω ⃗ vec{omega} ω 。再进一步,将上式左右除质量m,可以得到哥氏加速度 a c ⃗ = − 2 ω ⃗ × v ⃗ vec{a_c}=-2vec{omega} times vec{v} ac​ ​=−2ω ×v ,于是问题就转换为了检测加速度。从这点可以看出,MEMS陀螺仪是对加速度敏感的,因此其数据手册里误差项一般会有相应的指标。

3. MEMS磁强计

1它利用霍尔效应或磁阻效应测量地球磁场。实际上,市场上几乎90%的传感器都使用霍尔效应,下面是它的工作原理。

如果我们有一个下图中所示的导电板,我们设置电流流过它,电子会直接从板的一边流到另一边。

现在,如果我们在平板附近加一些磁场,我们就会扰乱电子的直线流动,电子会偏转到平板的一侧,而正电荷(空穴)会偏转到平板的另一边。也就是说,如果我们现在把电表放在两边之间,我们会得到一些电压,这取决于磁场的强度和方向,检测这个电压就可换算成磁场的强度和方向。

市场上其他10%的传感器使用磁阻效应。这些传感器使用对磁场敏感的材料,通常由铁(Fe)和镍(Ne)组成。因此,当这些材料暴露在磁场中时,它们的电阻就会改变。

有关MEMS传感器的文献搜罗了几篇,上传到了网盘,有需要的可以下载。
链接:https://pan.baidu.com/s/1NTqy4Ne6oNckIYLrXgR25A
提取码:ayc4

4.参考资料

https://howtomechatronics.com/how-it-works/electrical-engineering/mems-accelerometer-gyrocope-magnetometer-arduino/ ↩︎ ↩︎ ↩︎

Zhanshe G , Fucheng C , Boyu L , et al. Research development of silicon MEMS gyroscopes: a review[J]. Microsystem Technologies, 2015, 21(10):2053-2066. ↩︎

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