首先介绍根据写入特性，半导体存储器可以大致分为随机存取存储器(RAM，Random-Access Memory )和只读存储器(read-only memory )两种。 进而，可以细分为Flash、ROM、SRAM、EPROM、EEPROM、DRAM等存储器类型特征
闪存低价格、高密度、高速体系结构、低功耗、高可靠性
只读存储器(rom )适用于具有成熟、高密度、可靠、价格低廉、费时的口罩、固定码的大量产品
静态随机存取存储器(SRAM )速度最快，功耗高，密度低，价格高
电可编程存储器(eprom )密度高，必须暴露在紫外线下才能拆除正房
epro more2(electricallyerasableprogrammableread-only memory )可实现电动车刀开间，可靠性低、价格高、密度最低
动态内存(dram )低价格、高密度、高速、高功耗
1.RAM:RAM是最常用的计算机内存。 RAM被称为“随机存取存储器(random access memory )”。 因为如果知道哪个存储单元对应行和列，就可以直接访问)。
工作原理：像微处理器一样，存储芯片是集成电路(IC，integrated circuit )，由数百万个晶体管和电容器构成。 大多数计算机存储器可形成动态随机存取存储器(DRAM，dynamic random access memory )、与晶体管和电容器结合的存储单元)，存储1位数据。 电容保存该信息位是0还是1，晶体管就像开关，使内存芯片上的控制电路读取其电容，改变电容的状态。
电容器像一个能容纳电子的小桶。 对于存储器1的存储器单元，桶充满电子。 对于存储0的单元，它为空。 对电容器这个“桶”来说，问题是有泄漏。 短时间内装满的桶就空了。 因此，为了使动态存储器工作，CPU和存储控制器都必须在泄漏之前为所有的1电容器充电。 为了完成此任务，内存控制器将读取内存并将其写回。 此更新操作每秒自动进行数千次。
2 .也称为只读存储器(rom，Read-only memory )固件)，制作为在制造时用指定数据编程的集成电路。 ROM芯片不仅用于计算机，也用于大多数电子产品。 有五种基本ROM类型：
1.rom2. pro m3.eprom4. EEPROM5. flash memory
工作原理：如随机存取存储器(RAM )，ROM芯片包含矩阵网格。 但ROM芯片位于矩阵交汇处，ROM与随机存取存储器芯片有着根本的不同。 随机存取存储器使用晶体管打开或关闭各交点的电容读出。 ROM的情况下，若值为1，则用1个二极管连接这些线路； 如果值为0，则这些线不连接。
一个二极管通常只能沿一个方向流过电流。 而且，有决定二极管击穿电流的阈值。 就是所谓的正向转向。 对于处理器和存储芯片等硅基器件，正向换向电压约为0.6伏。 利用二极管的单向，一个ROM芯片可以将比正向反相电流高的电荷输送到对应的列中，同时可以将所选择的行接地以导通特定单元。 二极管在该单元中导通，电荷接地时，在二进制系统下，该单元读取为“ON”。 巧妙的是，如果单元的值为0，则在ROM矩阵相交的地方二极管不导通，列的电荷不能传输到行。
这种ROM芯片的行为要求在芯片产生时编程准确完整的数据。 不能重新编程或重写标准的ROM芯片。 如果那个不正确，或者需要修改数据的话，就只能把它扔掉，重新做一次。 为单个ROM芯片创建第一个模板的过程通常是一个困难的过程，并且充满了尝试和错误。 但是，ROM芯片的优点胜过其缺点。 创建模板后，创建芯片时每个芯片只需要很短的时间。 这些功耗小，非常可靠，极小的电子装置包含控制该装置所需的程序。答案补充
半导体集成电路是将晶体管、二极管等有源元件和电阻器、电容器等无源元件按照一定的电路相互连接，“集成”在一块半导体晶片上，完成特定的电路和系统功能。
一种半导体集成电路装置，在一个半导体基板上具有至少一个电路块，在所述半导体基板上具有设置在所述电路块边缘的多个焊盘、从所述电路块延伸到所述焊盘间的多条布线、和从所述电路块延伸到所述焊盘的布线； 上述多个焊盘连接到半导体集成电路装置的外部引线，并且在上述半导体基板的主面设置有其他电路块时，用于连接到来自该其他电路块的布线，其具有可与来自该其他电路块的布线连接的形状。
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