EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，其是即使关闭也能够保存数据的计算机存储芯片——，即非易失性(非易失性)。 这是一组浮置栅极晶体管，由提供比电路中常用电压更高电压的电子器件单独编程。 编程完成后，EPROM只能通过强紫外线照射擦除。 通过在封装顶部看到硅片的透明窗口，可以容易地识别EPROM。 这个窗户也用于消除紫外线。 对着阳光直射一会儿EPROM的玻璃窗就可以擦掉了。
中文名称
可擦可编程只读存储器
外语名称
仅可编程存储器简称
EPROM
类别
计算机存储器
发明者
Dov Frohman
EPROM概述
编辑
语音
EPROM是一种具有可擦除功能、擦除后可重新编程的ROM存储器，写入前必须用紫外线照射IC卡透明窗口进行擦除。 这样的芯片容易识别，封装包括“石英玻璃窗”，编程的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般覆盖有黑色不干胶，避免阳光直射。
EPROMEPROM芯片可以重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写一次的弊端。 EPROM芯片有明显的特点，其正面陶瓷封装开有玻璃窗，通过该窗可以看到内部的集成电路，紫外线通过该孔照射到内部芯片上可以擦除内部的数据。 完成芯片擦除操作需要EPROM擦除器。 EPROM内的数据写入使用专用的可编程控制器，在芯片上写入内容时必须施加一定的编程电压(VPP=12 ) 24v，因芯片型号不同而异)。 EPROM型号以27开头，例如27c020(8*256k )是2M Bits容量的EPROM芯片。 EPROM芯片在写入数据后，用不透光的贴纸或胶布封住窗户，以免数据受到周围紫外线的照射而损坏。 在EPROM芯片为空的状态(被紫外线擦除后)下，内部的各存储单元的数据为1 )富含优势的凉面)注： 0为低电平(1)。
EPROM的特点
编辑
语音
EPROM的编程必须使用程序员进行。 可编程控制器是产生EPROM编程所需的高电压脉冲信号的装置。 编程时将EPROM数据发送到随机存储器，启动编程程序时，程序员会一行一行地将数据写入EPROM。
一块编程的EPROM，可以将其数据保持约10~20年，无限读取。 擦窗户要盖好，以免偶然被阳光擦掉。 旧电脑的BIOS芯片一般为EPROM，删除窗口多被印有BIOS发行者名称、版本、版权标识的标签覆盖。 EPROM已被EEPROM取代。
一些在闪存出现之前制造的微控制器为了便于程序开发，使用EPROM来存储程序版本；使用一次性可编程设备，在调试时会造成很大的浪费[2]。
EPROM的工作原理
编辑
语音
双栅极结构(图1 ) EPROM是一种可编程器件，主流产品采用双栅极(双层多晶)结构，主要结构如图1所示。
在向浮置栅极注入电子情况下，当向控制栅极施加电压时，浮置栅极中的电子向上层移动，在下层出现空穴.
通过感应，电子被吸引，通道打开。
在浮置栅极有电子注入的情况下，即增大管的阈值电压时，
通道处于关闭状态。 这样就实现了开关功能。
EPROM写入过程(图2 )
如图2所示，这是EPROM的写入过程，向漏极施加高电压，电子从源极充分地流到漏极沟道。 高电压使电子的拉力增强，能量使电子温度极端上升，成为热电子。 该电子几乎不受原子振动引起的散射，能够通过从控制栅极施加的高电压越过SiO2的电位
没有其他外力的情况下，电子会被很好地保持。 需要擦除电子时，照射紫外线给电子足够的能量，逃离浮栅。
EEPROM的写入过程利用了隧道效应，即能量小于能量势垒的电子可以越过势垒到达另一侧。
量子力学认为，当物理尺寸相当于电子的自由程时，电子呈波动性，这里表明物体足够小。
在pn结中，当p和n的杂质浓度达到一定水平，且空间电荷极少时，电子在隧道效应的作用下向导带移动。
电子能量在某一能级允许水平的范围称为“能带”，低频带称为价带，高频带称为导带。
电子到达高导带时可以在原子之间自由运动，这种运动就是电流。
在EEPROM写入工艺中，通过隧道效应包围浮栅的SiO2必须极薄以降低势垒。
源极、漏极接地，处于导通状态。 通过向控制栅施加高于阈值电压的高电压，减少电场的作用，吸引电子穿过。
EPROMEEROM和EPROM的区别
编辑
语音
EPROM是erasableprogrammablereadonlymemory，中
文含意为“可擦除可编程只读存储器”。它是一种可重写的存储器芯片，并且其内容在掉电的时候也不会丢失。换句话说，它是非易失性的。它通过EPROM编程器进行编程，EPROM编程器能够提供比正常工作电压更高的电压对EPROM编程。一旦经过编程，EPROM只有在强紫外线的照射下才能够进行擦除。为了进行擦除，EPROM的陶瓷封装上具有一个小的石英窗口，这个石英窗口一般情况下使用不透明的粘带覆盖，当擦除时将这个粘带揭掉，然后放置在强紫外线下大约20分钟。主要IC有27XX系列和27CXX系列。EEPROM就是electrically erasable， programmable， read-only,是一种电可擦除可编程只读存储器，并且其内容在掉电的时候也不会丢失。在平常情况下，EEPROM与EPROM一样是只读的，需要写入时，在指定的引脚加上一个高电压即可写入或擦除，而且其擦除的速度极快！通常EEPROM芯片又分为串行EEPROM和并行EEPROM两种，串行EEPROM在读写时数据的输入/输出是通过2线、3线、4线或SPI总线等接口方式进行的，而并行EEPROM的数据输入/输出则是通过并行总线进行的。 主要IC有28XX系列[3]
。
词条图册
更多图册
参考资料
1.
yydxmt. 半浮栅晶体管将引发芯片革命[J]. 电子产品可靠性与环境试验, 2014(6):20-20.
2.
中国科技网. 我国研发出世界首个半浮栅晶体管[J]. 中国材料进展, 2013(8):14-14.
3.
黄辛. 中国科学家研制出首个半浮栅晶体管[J]. 真空电子技术, 2013(4):46-46.