PN结的形成1 .电子技术发展史2 .模式电学习总思路3 .第一章：常用半导体器件a (基础知识.本征半导体.杂质半导体(可掺杂性).pn结
1 .电子技术发展史
现有的电子技术的发展来源于集成电路的发展，集成电路的发展基础来源于半导体技术的发展。 半导体现象出现得很早，19世纪末期出现了半导体材料，1948年底，贝尔研究所制作了第一个基于半导体的材料晶体管(点接触型)。 1950年制作了类似三明治形状的晶体管。 此时，可以集成了。 1958年左右，发明了第一个集成电路。
2 .模拟电学习总体思路a )最主要器件)二极管、双极晶体管、场效应晶体管；
b )熟悉器件)基本特性、基本工作方式；
c )应用电路)放大电路、开关电路(由管构成的放大电路为分立元件。 在需要大功率、大电流的情况下，分立元件变大则是电力电子的分支，消耗变小则体积变小，用于信号处理的部分是微电子的分支
d )集成模拟器件:集成运算放大器(使用规则)、放大电路频率响应；
e )特别注意(:从设计角度学习本课程。 也就是说，从部件的特性考虑。 比如，给点什么，他能做什么？
3 .第一章：常用半导体器件a )基础知识I .本征半导体1. 半导体
a )概念：是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种东西。
b )本征半导体)是完全纯的、结构完整的半导体晶体。
2. 半导体中的载流子
a) 本征激发:半导体共价键中的价电子并不像绝缘体中那样受到强烈束缚。 室温(300K )以下时，束缚的价电子获得足够随机的热振动能，成为脱离共价键的笨火，成为自由电子，自由电子在晶体中运动。 这就是本征激发
b) 自由电子和空穴:两者都是半导体中载流子，空穴通过受电场力依次填补，可以形成相对运动，因此空穴也和自由电子一样是载流子。 固有激励越多，导电能力越好。
c) 复合自由电子运动时，正好遇到空穴，形成新的共价键价电子，自由电子和空穴结合的这个过程是复合的。 那么，本征激发的速度、温度决定载流子的浓度。
3. 载流子的浓度
a) 动态平衡:随着温度升高，热运动越激烈，载流子浓度越高，复合机会越多，最终两者达到动态平衡的结果。
ii .杂质半导体(掺杂性)1. 概念)向本征半导体中，导入少量杂质元素。
2. N（negative）型半导体
a) 掺入少量磷（5价）:本征半导体为4价，少量引入5价后，部分原4价位置被5价元素取代，一个自由电子游离，引入几个5价元素则存在几个游离的自由电子，引入越多导电
33558www.Sina.com/:5:因为引入五价元素后，游离的自由电子多为载流子。
b) 多子（负）如果自由电子是多子的，则原来的空穴是少子。
c) 少子（正）:由于多子女，是少子的数百万倍。 也就是说，自由电子带负电，因此是n型半导体。
d) N(negative)
对多子来说，现在多子的浓度是少子的数百万倍。 与因温度上升而加剧热运动产生的自由电子相比，是其数倍。 温度变化产生的自由电子可以忽略，但如果少子本来就少，热运动产生的少子就会比原来多。e) 温度对于多子和少子的影响
总的说：在N型半导体中温度对多子的影响小（可以忽略），对少子的影响大。:多子是多子多子，而f) 注意是p贡献一个自由电子后，由p原子变成带正电的p离子，固定在晶格结构中，不运动，因此电
3. P（positive）型半导体
a) P型半导体中的多子是空穴（带正电），少子是自由电子（带负电），和N型半导体反过来了。
1. PN结的形成
a) 扩散运动:当把N型半导体和P型半导体放在一起的时候，会发生如图的变化，N型半导体中的自由电子会勇猛的朝着P区运动，P型半导体中的空穴也会勇猛的朝着N区运动，但是N区和P区中的离子是不运动的，所以最终自由电子和空穴会在中间产生猛烈的交战，最终形成一个如图2所示的空间电荷区，这个空间电荷区会阻止N区的自由电子过来P区，也会组织P区的空穴过来N区，起到了一个阻挡层的作用。
b) 空间电荷区：耗尽层、阻挡层、PN结。
c) 漂移运动：虽然多子（N区的自由电子和P区的空穴）扩散运动会被空间电荷区阻挡，但是由于热运动产生的少量的少子（N区的空穴和P区的自由电子）依然还是存在，并且他们在空间电荷区电场的作用下会进行很强烈的漂移。
d) 对称结与不对称结：在进行扩散运动之前，N区和P区的浓度相同得到时候，最终形成的空间电荷区两边的宽度是一样的，就是对称结，当N区和P区两边的浓度不一样的时候，浓度高得那边PN结窄，浓度低得那边PN结宽。
2. PN结单向导电性
a) 外加正向电压：当加入了正向电压的时候，正极接在P区，负极接在N区，那么可以形成一个从左到右的外电场，原先空间电荷区是一个从右到左的内电场，那么这个外电场会削弱内电场的作用，那么扩散运动会加剧，电流指数性质的迅速增大，可以正向导电了，那么需要外加一个电阻R进行限流，最大电流是U/R，防止PN结被烧坏。
b) 外加反向电压：当加入的是反向电压时，结合正向电压的理解，会发现空间电荷区的电场作用更强了，扩散运动更难进行，所以电流很小，已经不导电了，但是空间电荷区的电场的增大，会使得漂移运动加剧，产生微小电流，但最终还是忽略不计。
3. PN结的电流方程：
PN结的伏安特性曲线