1 .概要
1.1系统概述
目前，Power MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)和IGBT (绝缘栅场效应晶体管)已成为大功率器件的主流，在市场上处于主导地位。 随着科技的进步，对电子器件轻薄短小和高性能的要求，带动了MOSFET和IGBT的发展，特别是应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换…等领域，半导体开发技术人员在市场的需求下，不断突破对大功率元件的发展技术
EN—3020C测试系统是西安易恩电气科技有限公司推出的功率器件静态测试系统，该系统符合国军标准GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。
EN-3020C测试系统是针对SI器件、SIC器件中的IGBT、MOSFET和二极管的各种静态参数开发的智能测试系统。
系统的标准电源为3500V/600A。 本系统适用于各大研究院进行的零部件检验、零部件进口检验筛查及在线开发零部件的生产测试。 系统扩展性强，可选配提高电压、电流测试能力，增加测试品种范围。 自动测试可以满足用户的大规模生产需求，故障率低也能保证用户的工作效率。 在PC窗口提示下，输入被测器件的测试参数即可完成填表编程，操作人员无需具备专业的计算机编程语言知识，使用方便。
1.2系统特点
针对IGBT、MOSFET和二极管的各种静态参数开发的智能检测系统
高功率(电压3500V、电流600A )。
自动化程度高(按照操作员设定的步骤自动动作) )。
计算机可以记录测试结果，并将测试结果转换成文本或EXCEL格式的存储器
采用名牌机床，具有抗电磁干扰、排风量大等特点
测试方法的灵活性(可以完美测试设备、单单元和多单元模块测试) )。
安全稳定(PLC实时监视设备的运行状态，与硬件联动) ) )。
具有加热条件下各静态参数测试功能。
1.3测试范围
EN-3020C系统专为测试IGBT、MOSFET和二极管而设计。 可以实际上正确地测试IGBT、MOSFET、二极管的静态参数。 其测试范围如下。
IGBT :
栅极-发射极间漏电流测试单元
栅极-发射极阈值电压测试单元
栅极-发射极间电压试验单元
集电极-发射极电压测试单元
集电极-发射极饱和电压测试单元
MOS :
栅极-源极漏电流测试单元
漏极-源极电压测试单元
漏极-源极饱和电压测试单元
漏极-源极断路电流测试单元
栅极-源极阈值电压测试单元
MOSFET导通电阻试验单元
GFS变压器指南测试单元
CONT接触性测试单元
二极管：
二极管压降试验单元
二极管反向耐压试验单元
注： IGBT为栅极g、集电极c、发射极e，分别对应MOSFET为栅极g、漏极d、源极s。
2 .系统技术指标
IGBT
栅极漏电流IGES
栅极电压VGE:0-40V误差3%分辨率0.2V
IGES:0.1-10uA误差3%分辨率0.1uA
集电极电压： VCE=0V
集电极-发射极间电压BVCES
集电极电压VCES:20-3500V误差5%分辨率10V
集电极电流ICES:0.1mA-30mA误差5%分辨率0.01mA
栅极电压VGE=0V
集电极饱和电压VCESAT
VCESAT:0.1-10V
栅极电压VGE:0-40V误差3%分辨率0.2V
集电极电流ICE:10-600A误差5%
集电极-发射极断路电流
集电极电流ICES:0.1-30mA误差5%分辨率0.01mA
集电极电压VCE:20-3500V误差5%，分辨率10V
栅极电压VGE:0V
栅极-发射极间阈值电压VGETH
VGETH:0.1-10V误差3%分辨率0.1V
VGE=VCE
集电极电流ICE:30mA误差3%分辨率0.1V
MOSFET :
栅-源漏电流IGSS
IGSS: 0.01-10uA误差3%分辨率0.1uA
漏极电压： VDS: 0V
栅极电压： VGS: 0-40V误差3%分辨率0.1V
漏极-源极间耐压BVR
漏极电压： VDSS: 20-3500V误差5%分辨率10V
漏极电流： IDSS: 0.01-30mA误差5%分辨率0.01mA
栅极电压： VGS: 0V
漏极源极饱和电压VDS(sat ) )
VDS Sat:0.1-10V误差3%分辨率0.2V
栅极电压： VGS: 15V误差3%分辨率0.2V
漏极电流： IDS: 10-600A误差5%分辨率1A
漏极-源极切断电流IDSS
漏极电压： VDS: 20-3500V误差5%
漏极电流： IDSS: 0.1-30mA误差3%分辨率0.01mA
栅极电压： VGS: 0V
栅极-源极阈值电压vgs(th ) ) ) ) ) ) ) ) ) ) ) )。
VGSTH:0.1-10V误差3%分辨率0.1V
VDS=15V
MOSFET导通电阻rds(on ) ) )
0.1-10m误差2%分辨率0.1 m
10-50m误差2%分辨率0.5 m
可进行GFS跨导试验
可进行CONT接触性测试
二极管
二极管压降测试VF
VF:0.1-5V误差3%分辨率0.01V
电流IF:10-300A误差5%
导通电流IC:10-600A误差5%
栅极电压VGE:15V误差0.2
击穿电压BVR
电压设定： 20V-3500V误差3%分辨率0.01V
击穿电流设定： 0.01-10mA误差3%分辨率0.01mA
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