一、实验目的：
了解半导体静态随机读取存储器RAM的工作原理及其使用方法。
掌握半导体存储器的字、位扩展技术。
二、实验要求：
采用实验8中设计的256 x 4的RAM结构，构成1K x8的存储器。 根据教科书第四章的内容自行设计实现方案。
在实验8中，由于是RAM的数据输入和数据输出不同的端口，所以设计时不需要分离设备。 利用2-4解码器74139。
选择5个不连续的存储单元的地址，分别存储在不同的内容中，进行1个存储单元的读写操作实验。
三、实验步骤：
1、根据需要设计并输入电路图，进行编译、管脚锁定、配置下载到FPGA；
2、用键1、键2输入RAM位数据(选择实验台工作模式1 )，用键3、键4输入存储器后8位的地址，前2位的地址用红色金刚石开关提供。 键8控制读/写许可，低电平时控制读许可，高电平时控制写许可； 密钥7(clk0)生成读/写时钟、即写地址锁存脉冲，对RAM进行写/读动作；
实验原理图：