MOS管的驱动电路有两个点。
1、暂态驱动电流必须足够大。 所谓驱动MOS管，主要是对MOS管栅电极的寄生电容的充放电，即MOS管的通断
2、NMOS的Vgs (栅极-源极间电压)高于4V则导通，PMOS的Vgs (栅极-源极间电压)低于4V则导通
直接驱动NMOS
R1是负荷
仅适用于NMOS低端驱动器。 NMOS导通的条件是Vgs高于4V左右，5V的PWM波正好满足要求。 (对于3.3V的低压单片机，这里有不能完全导通NMOS的风险，MOS发热或负载两端电压过低。 ) ) ) ) )。
推挽输出（图腾柱式驱动）
R1是负荷
该电路是共面放大电路，主要作为放大MOS晶体管栅极的驱动电流发挥作用，不能放大电压，
适用于NMOS低端驱动，单片机直接驱动MOS管栅极时，电流不够，开关速度过慢。 在MOS管发热情况下，可以增加驱动电流，实现更高速的MOS管的开关
一种变换电压的推挽式驱动电路
R3是负荷
当采用PMOS作为高端驱动时，为了截止PMOS，栅极电压必须至少与源极电压相等
采用2个NPN晶体管和1个二极管，在PMOS栅极上实现0V~12V的高速转换
当然也可以用于NMOS的低端驱动器
该电路也适用于3.3V输出的单片机
采用半桥芯片实现半桥驱动电路
EG3013等半桥芯片的优点是：
1、半桥电路可用2个NMOS实现，价格低廉
2、自举升压电路，方便
3、带死区控制(避免两个MOS同时导通)安全
是缺点啊。 虽然有点慢，但是如果是用高频闪烁来控制亮度的话，就不是什么好事了。 如果是控制电机的正反旋转，或者低频禁用电器的话，一定没问题
另外，不限于用于半桥，即使仅取出单向也可以直接驱动NMOS，也可以进行低端驱动