1什么是闪光粒子？
用语言来形容2016年固态硬盘市场，闪存粒子绝对是一个重要的热门词。 在过去的2016年，围绕闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒量产导致的固体价格上涨、闪存颗粒制造问题导致的制造商竞争、“日经密封”等MLC/TLC颗粒的优劣问题等。
那么，什么是闪存呢？ 2DNAND和3DNAND之间有什么区别和联系？ 那么，我们来解读一下。
闪存的粒子是什么？
闪存粒子也称为闪存，是即使断电也保持已写入数据的非易失性存储器，不是以1字节为单位而是以固定块为单位。
闪存粒子根据用途和规格的不同有各种各样的变化，但今天主要讨论固态驱动器等存储装置中使用的最常见的NAND闪存粒子。
NAND闪存粒子是闪存家族的一员，由日立公司于1989年开发并投入市场。 NAND闪存粒子具有功耗更低、价格更低、性能更优等诸多优点，因此成为存储行业最重要的存储原料。
根据NAND闪存中电子单元密度的不同，可以划分为SLC (单层存储单元)、MLC (双层存储单元)和TLC (三层存储单元)，这三种存储单元在寿命和成本上存在明显的差异
在这里不再进行讨论了。
2D和3D闪存的区别和联系
2D和3D闪存的区别和联系
在解释3DNAND之前，你必须弄清楚什么是2DNAND，以及“2D”和“3D”的真正含义。
首先是2DNAND。 在数学和物理领域，我们知道2D/3D都指向方向，指向坐标轴。 2D是指平面上的长度和宽度，3D是在2D上增加了垂直方向上的“高度”概念。
因此，2DNAND的真正含义是实际上是在单一die内部的粒子排列方式，按照传统的二维平面模式排列闪光粒子。
与此相对，3DNAND除了2维平面外，在垂直方向上也革新了粒子的排列，也就是原来的平面的重叠方法。
利用新技术，即3DNAND技术，粒子可以立体堆积，解决了由于晶片物理局限性导致单个die的可用容量不能再扩大的限制，在相同体积的情况下，闪存粒子的单个die的容量和体积大大提高，存储粒子整体的容量和体积得到了提高
另一方面，在业界，根据垂直方向层叠的粒子层数，与选择的粒子种类不同，3DNAND粒子可以分为32层、48层、甚至64层3DTLC/MLC粒子的不同产品，这取决于大型制造商的技术储备和实际选择的粒子种类
例如，可以理解2DNAND和3DNAND艺术的区别和联系。
2DNAND就像有限平面上的几间平房，这些平房排列整齐，但随着需求量的增加，平房的数量不断井喷，但最终这个有限面积的平面只能容纳一定数量的平房，不能再增加
3DNAND就像是建在同一个平面的大楼，在同一个平面内大楼的容积率远远高于平房，所以可以提供更多的空间，也就是更大的存储空间，32层、48层、64层是这些大楼的高度，一共是
2DNAND是平房，3DNAND是大楼(照片来自网络) )。
但3DNAND技术虽然体积相同，可以提供更多的存储空间，但这种堆叠技术对工厂厂商来说存在相当大的操作困难，工厂需要相当多的技术积累，因此目前能够掌握3DNAND技术的工厂公司非常少见，三星、