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是为了满足驱动电路电流的变化，避免相互之间的耦合干扰，而起到电池的作用。
电容退耦原理
采用电容去耦是解决电源噪声问题的主要方法。 该方法对提高暂态电流的响应速度，降低电源分配系统的阻抗非常有效。
关于电容器的去耦，虽然在很多资料中有提及，但是叙述的角度不同。 有些从局部电荷积累，即蓄电的角度进行说明，有些从电源分配系统的阻抗的角度进行说明，还有一些资料比较混乱，为了谈蓄电、谈阻抗，很多人在看资料时有些不知所措。 其实，这两种提法本质上是一样的，只是看问题的视点不同。
去耦电容器在集成电路的电源和接地之间有两种作用。 一个是本集成电路的蓄能电容，另一个是旁路该器件的高频噪声。 数字电路中的典型去耦电容值为0.1F。 该电容的分布电感的典型值为5H。 0.1F的去耦电容具有5H的分布电感，其并联谐振频率约为7MHz左右，即对于10MHz以下的噪声具有高的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎没有贡献。 1F、10F电容器的并联谐振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果较好。 每10个左右的集成电路增加1个充放电容量，或者增加1个能量储存容量，选择10F左右。 最好不要使用电解电容器。 电解电容器由两层薄膜缠绕而成。 这种缠绕的结构在高频下表现为电感。 请使用钽电容器或聚碳酸酯电容器。 去耦电容器的选择并不严格，C=1/F，即10MHz时为0.1F，100MHz时为0.01F。
退耦原理： （去耦即退耦）
mldkh和天真的小白菜总是告诉我这样的经验法则。 “在电路板的电源接入端放置1~10F的电容器，去除低频噪声； 在基板上各器件的电源和接地之间放置0.01~0.1F的电容器，去除高频干扰。 ”在书店里买到的许多高速PCB设计、高速数字电路设计的经典教程中，也不厌其烦地引用了这一优先法则(老外俗称Rule of Thumb )。
在直流电源电路中，负载的变化会导致电源噪声。 例如，在数字电路中，当电路从一种状态切换到另一种状态时，电源线上将产生较大的尖峰电流，从而产生瞬态噪声电压。 配置去耦电容器可以抑制负载变化引起的噪声，是印刷电路板可靠性设计的常用方法。 去耦电容主要用于滤除射频信号等高频噪声，噪声的进入方式是通过电磁辐射。
实际上，芯片附近的电容器还有能量存储的作用，这是第二位的。 请把总电源想象成密云水库。 我们大楼内的每栋房子都需要供水。 这个时候，水不是直接从水库来的。 那样的话距离太远了。 水来了，我们已经渴了不行。
实际的水来自大楼顶部的水塔。 水塔其实是buffer的作用。 微观上看，当高频装置操作时，电流是不连续的且频率较高，而装置VCC具有到总电源的距离，即使距离不长，在频率较高的情况下，在阻抗Z=i*wL R下，线路的电感的影响也非常大去耦电容器可以弥补这一不足。 因此，大多数电路板在高频器件的VCC端子上放置小电容器。 (在VCC端子上通常并联一个非耦合电容器，交流成分从此电容器接地。 ）
构成原则如下。
10~100uF的电解电容器跨接在电源输入端子上，在印刷电路板的位置允许的情况下，采用100uF以上的电解电容器的话抗干扰效果会变高。
每个集成电路芯片构成0.01uF的陶瓷电容器。 印刷电路板空间小无法安装时，可以每4~10个芯片配置1~10uF钽电解电容器。 该器件的高频阻抗特别小，在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1，漏电流也很小。
对于抗干扰能力强、关断时电流变化大的器件，以及ROM、RAM等存储型器件，需要在芯片的电源线(Vcc )和接地线(GND )之间直接连接去耦电容器。
去耦电容器的导线不能太长。 特别是不能在高频旁路电容器上安装导线。