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US1G-ASEMI二极管SMA封装快恢复二极管
型号：US1G
品牌：ASEMI
封装：SMA
电流：1A
电压：400V
正向电压：1.7 V
引脚数量：4
芯片个数：4
芯片尺寸：50MIL
漏电流：100uA
特性：小电流、贴片二极管
工作温度：-40~+150℃
US1G的电性参数：最大正向平均电流1A；最大反向峰值电压400V
US1G的包装方式：10K/盒，100K/箱
US1G整流方桥主要应用于电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用。
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，
几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。
ASEMI全系列封装图