三极管饱和状态条件,三极管饱和状态原理

当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和，饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定，饱和电流的大小与三极管无关，一般当ce电压小到0.4V时三极管就饱和了。硅管饱和CE约为0.3V,锗管约为0.1V。      启动后是否直接进入饱和状态要看具体电路，放大、饱和区和放大、饱和状态是不同的概念。     基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和，远大于集电极电流时是深度饱和。在开关电路中深饱和会影响速度，因为从放大到饱和再到深度饱和，基区载流子浓度越来越大，造成关断时间越来越大。     三极管的电流放大作用需要要有外部电路条件相配合，即外部电路满足“发射结正向偏置。集电结反向偏置”这一条件。当uCE=uBE时，可认为进入临界饱和状态。