超详细的IXFK48N50介绍
特征
·国际标准包装
·成型环氧树脂符合La4V-0可燃性分类
·SOT-227B miniBLOC采用氮化铝隔离
·低Rac HDMOSu流程
·额定的非约束感应开关（UIS）
·F内在整流器
应用
·DC-DC转换器
·同步整流
·电池充电器
·开关模式和谐振模式电源
·直流斩波器
·温度和照明控制
好处
·易于安装
·节省空间
·功率密度高
规格参数
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 48 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 26.16 mm
长度: 19.96 mm
系列: IXFK48N50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.13 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 42 S
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
型号：IXFK48N50
上升时间: 60 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
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