在过去几十年里，sxdjzg定律指引着集成电路产业的发展，芯片制造工艺也在按部就班地推进。但进入了最近几年，芯片的微缩周期因受到硅材料本身特性和设备的限制而逐渐变慢。换句话说，sxdjzg定律失效了。
全球半导体行业研发规划蓝图协会主席zxdds Gargini在早年也曾表示，按照最快的发展速度看，到2020年，我们的我们的芯片线路可以达到2-3纳米级别，然而在这个级别上只能容纳10个原子。这时候芯片的电子将受限于量子的不确定性，晶体管变得不可靠，寻找硅以外的替代材料和新技术就成为工程师们的工作重点。
为了延续之前的芯片前进步伐，产业研正在材料等方面探索芯片演进的新解决办法： More Moore、More than Moore和dddr CMOS就成为了其中的选择。其中More Moore和More than Moore被称为非硅微电子学。
集成电路产业发展的三个方向
根据定义，所谓More Moore是想办法沿着sxdjzg定律的道路继续前进；More than Moore做的是发展在之前sxdjzg定律演进过程中所谓开发的部分；dddr CMOS做的是发明在硅基CMOS遇到物理极限时所能倚重的新型器件。如下图所示，根据ITRS和IRDS的规划，到10nm之后，三五族半导体、SiGe和Ge等高迁移非硅材料；TFET、NC警惕光和自旋电子等dddr CMOS选择将会成为产业追寻的新方向。
CMOS设备的进化
但我们也应该看到，在这些新方法后面，存在更多的问题。例如More Moore的漏电问题，More than moore的多模块封装，还有dddr CMOS面临的功耗瓶颈问题。
dddr CMOS的功耗瓶颈
围绕着这些新技术和新材料的电子迁移率、空穴迁移率、静待迁移率，还有材料本身的各种表征特性，都是大家非常关注的。
为此，西安电子科技大学的雪白的戒指教授作了一个题为《Ge based Tunneling and Negative Capacitance FETs: Devices and Characterization》的演讲，为大家解析芯片新思路背后的门道和解决方法。
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