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写的非常好，想把每句话都记住。
首先了解两个英文缩写。
Abbreviations缩略语
Full spelling 英文全名
Chinese explanation 中文解释
POR
Power on reset
上电复位
Vreg
Reference Voltage
基准电压/参考电压
一、研究背景
大家都知道，stc单片机的adc（模数转换器）的基准是基于基于供电电源电压的，这样就造成了一个问题，如果供电电压发生变化，adc读得的值也会发生变化，就出现了测不准的现象，所以大家普遍的用法就是在adc的一个通道外接一个电压基准，类似tl431，通过读电压基准和测量值，换算出真实测量电压，但这样就会带来个问题，要占用一路adc通道，占用一个io，付出tl431的成本，外接还要处理电路，麻烦。所以stc15系列的单片机给我们提供了内部的基准，名字叫BandGap(内部带隙电压基准)。
这两天要搞adc的应用，想到stc内部有基准，于是研读了数据手册，然而数据手册说的很不清楚，内容还分布在不同的地方，于是就搜索了下。但是在百度上的有用搜索结果很少，有一个本坛的帖子，点进去看了大部分人也是没搞懂
甚至大家都不太懂stc还有第九通道
还有人继续提tl431外部基准法
之前也看到有坛友在抱怨内部基准是垃圾，居然会随供电电压变化，完全没用什么的。
无法只好自己研究了，经过一下午的研究，终于搞了个明白，遂分享给大家，一起学习进步。
我们先说说BandGap(带隙电压)是啥。百度给出的解释是：
看上去比较复杂，我画了张简单的图表示，不是很准确，理解就好
二、经典的电路操作常识，我这种zxdxmy也听老大说了几遍，但是还是忘记了，今天自己看，估计会印象深刻。
如图，基准有两个材料串联而成，分别为温度正材料（温度升高阻值变大）和温度负材料（温度升高阻值变小）串联而成，这样，两个材料互相抵消，基准值就不会随温度发生变化。这样做的原因是在半导体制造中，几乎找不到不随温度变化的材料，所以选用了这种折中方案。
所以，和数据手册说的是一样的，基准不随芯片工作电压改变而变化。
所以，内部基准读取后需要进行数学转换，就能成我们想用的值。
但是，官方给的例程貌似是有点问题的，串口出来的，数值不对，呵呵
而且，由于每片芯片的制造差异性，每个基准的比例不是相同的，每片芯片有特异性。
我的几片同款芯片的这个测量值都是有差异的，相差也不小。
stc给出的方案是这样的，在5v标准电源下测量BandGap的adc读数，然后记录在eeprom内，以后的程序不就可以读取这个值并进行比例换算了吗？
但是，大家有没有觉得这样会异常的麻烦，5v基准供电电压不好找，如果大量生产的话，每片都要读取校准会费时费力。
所以，stc还是蛮善良的，其实他们早就给我们标定好了这个值，我们只需要想点小办法吧它读出来就好。
数据手手册里面是这样的
这里要吐个槽，stc的数据手册编写者你真蛋疼，居然把两个内容分开讲，讲adc的第九通道，在数据手册第10.8节，第906页；讲怎么读取得标定值，在数据手册第1.18节，第284页，这是个大坑啊，跨度一个世纪的内容，呵呵了。
扯远了，这个标定值会储存在两个地方，一个是RAM(内存)末尾，一个是ROM(程序区)末尾。但是官方比较推荐的读取地点好像是使用程序储存器末尾，好像是因为ram的数据容易被覆盖。
不过用rom区的话，要注意以下三个问题：
程序储存区末尾会被占用那么十几二十个字节，不过一般小程序也不影响啥，写满程序区的就要注意下了。
同时，在使用rom区数据时，在下载时要勾选选项“在ID号前添加重要测试参数”（在下载选项末尾的一个选项，默认是不选的，要记得勾上）
第三，不同储存空间的单片机在程序中要定义不同的地址，我的是stc15w404as，选的是内部储存为4k（#define ID_ADDR_ROM 0x0ff7 //4K程序空间的MCU），这个的话应该大家读懂吧。
另外提一句，使用基准，不管内部外部，都能计算出供电电压，如果电压下降啥的，能在程序里做出反应，比如说记录数据如eeprom什么的，实现掉电保护，这个大家脑洞了
提醒大家的事，使用外部晶振的时候，读不到bandgap的adc值，这个非常重要，望高高的小白菜
感谢@mosliu 朋友的测试和补充，详情看这贴：STC15系列 读取BandGap的一点小小补充 另外吐槽下STC的客服|http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=1653284
好的，讲了这么多理论的废话，还不如直接上代码实践
顺便说下，使用了部分stc的例程，按人家要求说明 ： /* 如果要在文章中应用此代码,请在文章中注明使用了宏晶科技的资料及程序 */
#include <STC15F2K60S2.H> //MCU:stc15w404as#include<stdio.h>#include "intrins.h"#define uchar unsigned char #define uint unsigned int#define FOSC 11059200L#define BAUD 9600//工作频率11.0592MHz 串口波特率9600//-----------------------------------------//ADC相关设定参数#define ADC_POWER 0x80 //ADC电源控制位#define ADC_FLAG 0x10 //ADC完成标志#define ADC_START 0x08 //ADC起始控制位#define ADC_SPEEDLL 0x00 //540个时钟#define ADC_SPEEDL 0x20 //360个时钟#define ADC_SPEEDH 0x40 //180个时钟#define ADC_SPEEDHH 0x60 //90个时钟//-----------------------------------------//BandGap相关参数#define ID_ADDR_RAM 0xef //对于只有256字节RAM的MCU(大部分系列)存放地址为0EFH//#define ID_ADDR_RAM 0x6f //对于只有128字节RAM的MCU(stc15f/w100系列)存放地址为06fH//注意:需要在下载代码时选择"在ID号前添加重要测试参数"选项,才可在程序中获取此参数//容量不同的单片机请更改不同数值//#define ID_ADDR_ROM 0x03f7 //1K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x07f7 //2K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x0bf7 //3K程序空间的MCU#define ID_ADDR_ROM 0x0ff7 //4K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x13f7 //5K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x1ff7 //8K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x27f7 //10K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x2ff7 //12K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x3ff7 //16K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x4ff7 //20K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x5ff7 //24K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x6ff7 //28K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x7ff7 //32K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0x9ff7 //40K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0xbff7 //48K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0xcff7 //52K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0xdff7 //56K程序空间的MCU//#define ID_ADDR_ROM 0xeff7 //60K程序空间的MCU//-----------------------------------------//声明void InitUart();void InitADC();void SendData(uchar dat);uint GetADCResult(uchar ch);void Delay(uint n);void ShowResult(uchar ch);void main(){ InitUart(); //初始化串口 InitADC(); //初始化ADC P1M1=0X01; //高阻输入 while (1) { //ShowResult(0); //显示通道0 //ShowResult(1); //显示通道1 ShowResult(2); //显示通道2 //ShowResult(3); //显示通道3 //ShowResult(4); //显示通道4 //ShowResult(5); //显示通道5 //ShowResult(6); //显示通道6 //ShowResult(7); //显示通道7 Delay(100); }}/*----------------------------发送ADC结果----------------------------*/void ShowResult(uchar ch){ uint adc_res10,//测量设定通道adc值 bandgap, //bandgap预储存校准值，单位毫伏 adc_9gallery_res; //测量第九通道（bandgap）值 float power_voltage, //系统供电电压，单位毫伏 ADC_voltage; //设定通道电压值，单位毫伏 uchar code *cptr; //定义ROM(代码)区指针 //uchar idata *iptr;//定义RAM(内存)区指针 cptr = ID_ADDR_ROM; //从程序区读取BandGap电压值(单位:毫伏mV) bandgap=*cptr++; bandgap<<=8; bandgap+=*cptr; /*iptr = ID_ADDR_RAM; //从内存区读取BandGap电压值(单位:毫伏mV) bandgap=*iptr++; //两种方法结果一样，上面的方法需要在下载式勾选"在ID号前添加重要测试参数"选项,才可在程序中获取此参数 bandgap<<=8; //下面的方法不需要 bandgap+=*iptr; */ //测量设定通道adc值 ADC_RES = 0; //清除结果寄存器 P1ASF = 0xff; //设置P1口为AD口 GetADCResult(ch); GetADCResult(ch); //读三次获得稳定 adc_res10= GetADCResult(ch); //测量第九通道（bandgap）值 ADC_RES = 0; //清除结果寄存器 P1ASF = 0x00; //设置读第九通道 GetADCResult(0); //测bandgap时，调用此函数时通道数只能填0 GetADCResult(0); //读三次获得稳定 adc_9gallery_res=GetADCResult(0); //计算系统供电电压 power_voltage=(float)bandgap*1024/adc_9gallery_res; //计算ADC通道测得电压值 ADC_voltage=(float)bandgap*adc_res10/adc_9gallery_res; printf("P1.%d ADC result:%dn",(uint)ch,adc_res10); printf("BandGap standard:%d mVn",bandgap); printf("BandGap value:%d n",adc_9gallery_res); printf("system power voltage:%.0f mVn",power_voltage); printf("ADC voltage:%.0f mVn",ADC_voltage);}/*----------------------------读取ADC结果----------------------------*/uint GetADCResult(uchar ch){ uint ADC_10BIT_RES; ADC_CONTR = ADC_POWER | ADC_SPEEDLL | ch | ADC_START; _nop_(); //等待4个NOP _nop_(); _nop_(); _nop_(); while (!(ADC_CONTR & ADC_FLAG));//等待ADC转换完成 ADC_CONTR &= ~ADC_FLAG; //关闭 ADC ADC_10BIT_RES=ADC_RES; //得到高8位 ADC_10BIT_RES<<=2; ADC_10BIT_RES+=ADC_RESL; //得到低2位 return ADC_10BIT_RES; //返回ADC结果 }/*----------------------------初始化串口----------------------------*/void InitUart(){ SCON = 0x5a; //设置串口为8位可变波特率 T2L = 0xE0; //设定定时初值 T2H = 0xFE; //设定定时初值 AUXR = 0x14; //T2为1T模式, 并启动定时器2 AUXR |= 0x01; //选择定时器2为串口1的波特率发生器}/*----------------------------初始化ADC----------------------------*/void InitADC(){ P1ASF = 0xff; //设置P1口为AD口 ADC_RES = 0; //清除结果寄存器 ADC_CONTR = ADC_POWER | ADC_SPEEDLL; Delay(2); //ADC上电并延时}/*----------------------------软件延时----------------------------*/void Delay(uint n){ uint x; while (n--) { x = 5000; while (x--); }}