概述
HSE为外部高速时钟，可以由有源晶振与无源晶振提供，频率4-16MHZ，当使用有源晶振时，时钟从OSC_IN引脚进入，OSC_OUT引脚悬空，当使用无源晶振时，时钟从OSC_IN和OSC_OUT引脚进入，并且要配谐振电容。
软件
1.初始化RCC外设
2.使能RCC
3.等待RCC就绪
4.等待RCC就绪完成
5.使能FLash预取值缓冲区
6.设置systick与闪存访问时间比例（设置频率）
7.设置AHB预分频因子
8.设置APB2预分频因子
9.设置时钟来源为HSE，设置倍频因子
10开启PLL
11.等待PLL稳定
12.等PLL稳定之后，把PLL时钟切换为systick时钟
13.读取时钟状态位，确保时钟为systick时钟
void HSE_SetSysClock(uint32_t pllmul){__IO uint32_t StartUpCounter = 0, HSEStartUpStatus = 0;// 把RCC外设初始化成复位状态，这句是必须的 RCC_DeInit(); //使能HSE，开启外部晶振，野火开发板用的是8M RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON); // 等待 HSE 启动稳定 HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp();// 只有 HSE 稳定之后则继续往下执行 if (HSEStartUpStatus == SUCCESS) {//----------------------------------------------------------------------// // 使能FLASH 预存取缓冲区 FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable); // SYSCLK周期与闪存访问时间的比例设置，这里统一设置成2// 设置成2的时候，SYSCLK低于48M也可以工作，如果设置成0或者1的时候，// 如果配置的SYSCLK超出了范围的话，则会进入硬件错误，程序就死了// 0：0 < SYSCLK <= 24M// 1：24< SYSCLK <= 48M// 2：48< SYSCLK <= 72M FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2);//----------------------------------------------------------------------// // AHB预分频因子设置为1分频，HCLK = SYSCLK RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1); // APB2预分频因子设置为1分频，PCLK2 = HCLK RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1); // APB1预分频因子设置为1分频，PCLK1 = HCLK/2 RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2);//-----------------设置各种频率主要就是在这里设置-------------------// // 设置PLL时钟来源为HSE，设置PLL倍频因子// PLLCLK = 8MHz * pllmulRCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, pllmul);//------------------------------------------------------------------// // 开启PLL RCC_PLLCmd(ENABLE); // 等待 PLL稳定 while (RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET) { } // 当PLL稳定之后，把PLL时钟切换为系统时钟SYSCLK RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK); // 读取时钟切换状态位，确保PLLCLK被选为系统时钟 while (RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08) { } } else { // 如果HSE开启失败，那么程序就会来到这里，用户可在这里添加出错的代码处理// 当HSE开启失败或者故障的时候，单片机会自动把HSI设置为系统时钟，// HSI是内部的高速时钟，8MHZ while (1) { } }}