TXB0304作为新一代自动识别方向的电平转换芯片，跟上一代同类器件TXB0104相比，具有更低的工作电压（0.9V）、更高的转换速率（1.8V-3.3V间电平转换时最高速率140MBPS）、以及更小的封装等优势。也正是因为需要在较低工作电压时也能达到较高的转换速率，芯片在某些关键参数设计上，也跟上一代产品有所不同，比如ONE-SHOT输出电路的MOS管内阻必须要设计得更小一些。这就要求在某些特殊情况下应用时（比如输出PCB走线较长），需要额外留意电路原理图的设计和PCB布线设计，以减轻输出过冲和震荡的现象。
TXB0304的工作原理
作为双电源双向电平转换，TXB0304通过检测外部端口的驱动电流来判断转换方向，因此不需要外部方向控制引脚，可以选择控制设备转换的方向。 工程师在使用它时非常省事，在软件上也不需要考虑什么时候应该改变方向。
如上面左侧的框图所示，如果a侧外置的主端口为输出端口，则无论输出高电平还是低电平，其输出端都会流过一定的驱动电流。 另一方面，假设连接在b侧的从站设备为输入端口时，输入端口为高电阻输入特性，高电阻输入端口本身不向外部提供驱动电流。
因此，a侧的输入电平反转时，输入信号的上升沿会触发，图中上端的One-Shot电路断开。 也就是说，在MOS管T1断开的瞬间，由于T1的低内阻，b侧的电平迅速上升到高电平，然后T1闭合，通过图中的U2维持高电平输出。 请注意b侧的输出电平参照Vccb，a侧的输入电平参照Vcca。 因此，a侧输入的1.8v(vcca )为高电平，TXB0304变换后，输出为3.3v (vccb )的高电平。n0 ) :f！ [6 _9 k
当a侧输入电平从高电平变化为低电平时，由于输入信号的下降，图中下端的One-Shot电路打开，即MOS管T2瞬间急速打开，由于T2的低内阻，b侧的信号电平急速下降，由于U2的输出，低电平的信号电平
信号从b侧切换到a侧时的动作原理相同。
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这是因为，TXB0304的共同注意事项要求外部芯片的输出驱动能力为3mA以上，以通过TXB0304从外部输入驱动电流来实现方向转换的识别。 太弱的输出电流驱动能力使TXB0304无法正常工作，因此TXB0304非常适合推挽式输出类型的端口，例如常见的SPI、UART、I2S/PCM …等信号接口。
另外，请注意TXB0304的A/B两侧不同时存在强的外部输入驱动电流。 这样会打开两个方向上的转换通道，使两侧的输出端口振动，根本无法工作。 这最常见的是将TXB0304错误地用于需要添加上拉电阻(诸如I2C和MDIO )的信号电平转换。 如果A/B两侧施加较强的上拉，输入电流会流入A/B两侧，导致TXB0304无法正常工作。 2U8F1A(V )8(#KP
如果为了电路的应用而必须外置上拉或下拉电阻，则上拉/下拉电阻的电阻值最好大于20K，且在50K以上。 这使上拉电流相对较小，不会干扰TXB0304的正常运行，通常由外部设备的推挽结构(Push-Pull )输出端口驱动。
仅用作单向电平转换时，即使对输入端子施加上拉电阻也没有任何问题。
TI公司的另一器件TXS0104专用于I2C/SMBUS/MDIO等OC/OD栅极输出信号的电平转换，可以在AB两侧同时施加上拉电阻，其内部也集成了10K的上拉电阻。
TXB输出走线注意事项使用TXB0304时，输出波形质量差，过冲和下冲严重，同时也可能伴有振铃，这种情况直接导致系统后级芯片无法采样到准确的高低水平，出现异常。
现场分析和波形测试结果表明，使用TXB0304时，其输出端口远离后级负载芯片，阻抗匹配电阻靠近负载器件的输入端口远离TXB0304。
如上所述，由于TXB0304即使在低工作电压下也需要确保高转换速率，所以其One-Shot加速电路的MOS管内部电阻被设计得非常小，在Vcc=3.3V时典型值仅为2.5欧姆，上一代TXB0104的VCC=
输出负载走线较长时，信号线的反射会变大，另外，TXB0304的One-Shot电路的内阻极低，容易发生大的过冲，因此需要改善输出侧的阻抗匹配。 选择适当的匹配电阻值和将匹配电阻置于非常接近TXB0304输出引脚的位置可以有效地改善阻抗匹配效果。 实测表明，合适的匹配电阻和正确的配置位置对输出波形的改善效果明显。 下图为不加匹配电阻的输出波形，可知电压过冲，返回2.5V。 下图2施加阻抗匹配电阻后，电压恢复到3.0V，达到非常安全的高电平以上。
另外，由于TXB0304的One-Shot输出阻抗非常低，因此在快速接通/断开的瞬间，负载电感引起的反电动势也容易影响供给电压。 因此，在Vcc馈电引脚上附加合适的去耦滤波电容器，对提高输出波形的质量也起到非常重要的作用。 建议在非常接近Vcc引脚的地方同时使用0.01uF、0.1uF和1uF的去耦滤波电容器。 这对于TXB0304的稳态输出和过渡电平的反转非常有效。
下图为推荐的串联电阻配置位置、去耦电容值的选择和配置位置。