EMI164NA16LM该设备是一个集成的存储器设备，其中包含64Mbit静态随机存取存储器，使用自刷新DRAM阵列由16位组织为4M。模具具有单独的电源轨，VCCQ和VSSQ，用于从设备核心的单独电源运行。
特征
•电源
-VCC和VCCQ电压：3.0V（2.7V〜3.6V）
•配置：64MB（4MBX16）
•读取速度
-异步读访问：70ns
•低功耗
-异步操作：<30mA
-待机电流：<350UA（最大值）
•低功耗功能
-片上温度补偿自刷新（TCSR）
•工作温度范围：-40°C〜+85°C（工业）
•包装：48 TFBGA（6.0x7.0mm）
引脚封装
48 TFBGA（6.0x7.0mm）
EMI164NA16LM该设备是67,108,864位pSRAM，使用DRAM型存储器单元，但该器件具有无刷新操作和极端低功耗技术。接口与低功耗异步类型SRAM兼容。该设备组织为4,194,304字x16位。
图2.功能框图
功能描述
64MB设备包含67,108,864位DRAM核心，组织为16位的4,194,304个地址。该设备包括行业标准，在其他LOW Pexer SRAM产品上找到的异步内存接口
表1功能描述
1.当UB＃和LB＃处于选择模式（低）时，DQ0〜DQ15受到如图所示的影响。
当仅LB＃处于选择模式时，DQ0〜DQ7受到如图所示的影响。只有UB＃处于选择模式时，DQ8〜DQ15会受到如图所示的影响。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（We＃，OE＃），地址输入和数据输入/输出在内部与任何外部影响分离。
3.当我们＃处于活动状态时，OE＃INPUT在内部禁用，对I/O没有影响。
4.只要更改地址，设备将在此模式下消耗有效电源。
5.VIN=VCCQ或0V，所有器件引脚都是静态（未切换的），以实现备用电流。