内容参考了https://www.reneelab.com.cn/difference-slc-mlc-tlc.html 然后加入了其他我认为有用的信息
NAND闪存：SSD储存数据的部分，以非易失性，即断电后仍能保存数据的内存块。
DDR内存：少量的易失性内存（需要电源来维护数据）用于缓存未来访问的信息。
主控芯片：连接NAND闪存与计算机之间的主要电子组件。
NAND闪存是比传统硬盘驱动器更好的存储设备，它使用的是非易失性存储技术，即断电后仍能保存资料的存储设备。
NAND闪存由多个以（bit）为单位的单元构成，这些位通过电荷被打开或关闭，如何组织这些开关单元来储存在SSD上的数据，也决定了NAND闪存的命名，比如单层单元（SLC）闪存在每个存储单元中包含1个位。在性能、体积的优势基础上，NAND闪存目前发展的方向便是降低每比特存储成本、提高存储容量，因此就有了后来的四层单元（QLC），每个存储单元有4个bits的格式。但是，并非单元层数越多就越好，不同层级的单元NAND闪存有不同的特点
SLC:Single Level Cell
单层单元闪存俗称SLC，这种类型的闪存在读写数据时具有最为精确，并且还具有持续最长的数据读写寿命的优点。
SLC擦写寿命约在9万到10万次之间。这种类型的闪存由于其使用寿命，准确性和综合性能，在企业市场上十分受众。但由于储存成本高、存储容量相对较小，在家用市场则不太受青睐。
优点：
读写速度最快的NAND闪存芯片规格。与任何其他类型的闪存相比，擦写寿命和读写循环的周期最长。读取/写入错误的发生几率更小，并可在跨度更大的温度范围内正常运行。缺点：
市场上最昂贵的NAND闪存类型。通常只有较小的容量。建议使用对象： 需要大量读取/写入周期的工业级负载，例如服务器。
MLC:Multi Level Cell
多层单元俗称MLC，它的命名来源于它在SLC的1位/单元的基础上，变成了2位/单元。这样做的一大优势在于大大降低了大容量储存闪存的成本，因为闪存作为SSD的核心，其生产成本通常都会反映在SSD的价格上并最终转嫁到消费者的身上。
对于消费类SSD，凭借相对合理的容量/价格比，MLC闪存是家庭计算机的首选，虽然擦写寿命只有约1万次，但对于家用级别来说已经十分足够。
优点：
扩展的SSD的容量，也拥有合理的性价比。比TLC闪存表现更加稳定。缺点： 不如SLC闪存那般耐用可靠。
建议使用对象： 较频繁地使用计算机的用户或游戏玩家。
TLC:Triple Level CellTLC闪存是闪存生产中最低廉的规格，其储存达到了3位/单元，虽然高储存密度实现了较廉价的大容量格式，但其读写的生命周期被极大地缩短，擦写寿命只有短短的500~1000次，同时读写速度较差，只适合普通消费者使用，不能达到工业使用的标准。
优点： 较低的生产成本开启了廉价大容量SSD市场。
缺点： • 与SLC、MLC相比，TLC储存单元的擦写寿命要短得多。 • 理论上读写速度与SLC、MLC相比最慢。
建议使用对象： 对存储需求不大的轻度使用需求的计算机用户，比如只使用上网、邮件等简单功能的上网本、平板。
QLC:Quad-level cells
QLC每个单元可储存4bit数据，跟TLC相比，QLC的储存密度提高了33%。QLC不仅能经受1000次编程或擦写循环（与TLC相当，甚至更好），而且容量提升了，成本也更低。
优点： QLC总成本更低，进行存储时依靠更少驱动器来实现。此外，QLC还具有更多容量，储存密度高，从而获得更好的效益。
缺点：与SLC、MLC相比，QLC的性能和写入寿命有所降低，但与TLC相当。
建议使用对象： 比较适合把QLC SSD作为数据仓库的用户。如果你对数据存储量的需求较大、平时对计算机进行轻度使用（写入操作少）、或者追求较低价格，建议选用QLC。
3D NAND技术可以把存储单元堆叠最高32层。这样一来，单个MLC存储芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC存储芯片可增加48GB。
Flash类型
SLC单层单元
MLC多层单元
TLC三层单元
QLC四层单元
擦写寿命90,000-100,0008,000-10,000500-10001000每个单元的位数1234写入速度（星星越多表示写入速度越快）★★★★★★★★☆☆★★☆☆☆★★☆☆☆耐用度（星星越多表示耐用度越高）★★★★★★★★☆☆★★☆☆☆★★☆☆☆价格（星星越少表示价格越低）★★★★★★★★☆☆★★☆☆☆★☆☆☆☆适合人群工业/企业普通消费者/游戏玩家轻度消费者数据存储量大的用户大多数SSD采用MLC和TLC，是目前比较普及的民用级硬盘；虽然SLC稳定性更好，但不如MLC和TLC普遍。而QLC是新萌生的闪存类型，目前陆续上架，其价格也比较适中