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Cadence电路仿真中晶体管阈值电压设置方法、S参数仿真分析及反相器仿真教程

时间:2023-11-21 12:30:38 阅读:287165 作者:AHCA

1: 在Cadence电路仿真中晶体管的阈值电压如何设置,多谢各位了,请帮帮忙...

阈值电压是一个与工艺参数有关的模型参数,不可以直接设置成数值变量。

0.18um,90nm,65nm,40nm,28nm等工艺进化后,阈值电压可以通过改变管子的参数W,L等进行调节。

电路的阈值电压VT的主要影响在于L。对于失配模型来说,VT0-mismatch与晶体管的面积(WL)成反比。

论文:K. Kattmann, J. Barrow, "A technique for reducing differential nonlinearity errors in flash A/D converters", IEEE ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 170-171, 1991-Feb。

2: Cadence Sigrity仿真入门2 -- PowerSI DDR S参数仿真分析

PowerSI是一款功能强大的软件,可以进行S参数提取仿真、电源阻带中抗提取、走线阻抗耦合检查、平面谐振分析。其中,本文介绍了DDR数据线S参数提取仿真,并对结果S11、S12和S13进行了解释。

在仿真过程中,我们切掉DDR DQ07的参考层GND,发现其阻抗不连续导致信号质量变差。通过设置参数、生成端口和设置仿真频率等步骤,我们可以得到仿真结果图。通过对比前4根数据线和后4根数据线的仿真结果,我们可以看到切掉一块GND参考层的DQ7的反射非常严重,并且DQ7的插入损耗也比其他数据线要差很多。同时也可以看到DQ7的串扰结果相比其他数据线更糟糕。整个仿真过程大约需要10分钟。PowerSI软件可以在win10 cortana搜索到,或者在CadenceCadence_SPB_17.2-2016 oolsin中找到。

3: Cadence教程2——反相器原理图仿真以及版图绘制

本文主要是针对如何使用cadence进行反相器的仿真以及画图布局的流程。

具体流程如下:

  • 建立library
  • 新建原理图
  • 放置元件
  • 放置好pin
  • 连线
  • 检查并保存后建立symbol
  • 得到symbol并将不需要的方框删除
  • 画出反相器的形状
  • 在library manager中确认是否有symbol这个view
  • 新建一个cell并将刚画的inverter的symbol放置进去
  • 按蚂贺的方式连好线
  • 在testbench的cellview中放置一个voltage supply,其供电电压为5V,in端的电压为0V
  • 将out端口接到basic-->Misc-->noCoon中未连接的端口
  • 检查并保存,然后打开ADE(launch-->ADE)
  • 添加模型(setup-->model library)
  • 选择仿真方式
  • 选择输出变量
  • 在cell view中新建一个layout的cell
  • 放置MOS管、ntap和ptap以及输入端口m1_poly
  • 使用metal1和poly层连线,并使用LSW中的metal1/poly快捷键r画矩形
  • 将显示层改为0层
  • 添加pin
  • 进行verify-->DRC以及verify-->Extract和verify-->LVS,完成之后进行run并点output

以上就是整个流程,需要注意的是,对于更改pin的名字,需要选中这个pin所在的层,如metal1,并在该层取消其他层,之后再进行更改。

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