饱和区域： Je、Jc均为正偏uBEUon且uCEuBE。 在这种情况下，iC不仅与IB有关，而且随着uCE的增大而明显增大，即iC百特IB。 随着工作点的上升，VCE减少到一定程度(硅0.3V、锗0.1V )，Je的释放量不足以收集Jc，此时的BJT看起来在短路状态下工作；
截止区域： Je电压小于导通电压Uon，且Jc达到反向偏置，即uBE=Uon、uCEuBE。 在这种情况下，IB=0，iC=ICEO；
放大区域： Je偏向正时为uBEUon，且Jc偏向负时为uCE=uBE。 iC几乎只由IB决定，与uCE无关。
1、“Vce=Vbe0.7V”是电路的特殊工作状态(方式)。 理论上，一般将Vce=Vbe的状态称为临界饱和，Vce<； Vbe的状态称为过饱和。 当然，小功率BJT的饱和电压小于大功率BJT的饱和电压。 例如，小电力管可以小于0.4V，但大电力管可以大于等于1.0V，因此以上定义仅是一般概念。 在你提出的问题中，Vce=0.7V>； 应该在0.4V下考虑，因此，可以工作。
小功率BJT的饱和电压小于大功率BJT的饱和电压。 例如，小电力管理可以小于0.4V，但大电力管理可以错误地是1.0V以上’。 饱和压降值与电流大小有关，与晶体管功率大小无关。
也就是说，在本例中，可以理解为“Vce电压未达到饱和”或“电压为临界饱和电压以上”。 因此，电路将集电极和基极连接得极短。 我建议不要用“短路”来表达。 短路通常是指对故障状态的术语。 )之后，电路不仅工作，而且正常工作。
2、发射极结必须正向偏压，集电结必须反向偏压。 此时为放大状态。
Ube=Uce时，处于满足该条件还没有变化的临界状态，Ubc可以视为0，因此结的两端电压的变化趋势从反向偏压到临界，此时还没有较大地扩散多子的外力介入，因此不是饱和状态而是放大状态需要注意的是，放大状态的条件是Uce为Ube以上；