当甜美的刺猬使用3.3V单片机时，电平转换是不可避免的。 经常遇到3.3转5V或5V转3.3V。 这里介绍一个简单的电路。 他可以实现两个层次的相互转换。 (.电路非常简单，只由三个电阻和一个MOS管组成，电路图如下：
(原始文件名：3.3-5V转换. jpg )
在上图中，S1、S2是两个信号端子，VCC_S1和VCC_S2是这两个信号高电平电压，另外，限制条件是：
1，VCC_S1=VCC_S2。
2 ) S1的低电平阈值大于0.7V左右(由NMOS内的二极管电压降引起)。
3，Vgs=VCC_S1。
4、对于VDS=VCC_s23.3v和5V/12V等电路的相互转换，在NMOS管中选择AP2306即可。 原理很简单，大家来分析一下吧。 该电路已经在很多地方应用，效果很好。
I2C (原始文件名：2011-07-07_092347.png ) ) ) ) ) )。
和这个很像呢。 只是，我不知道这个电路的速度会是多少
电平移位器操作
电平移位器的动作中，请考虑以下三种状态。
1没有设备下拉总线。 “低电压”部分的总线通过上拉电阻Rp上拉到3.3V。 由于MOS-FET管的栅极和源极均为3.3V，其VGS低于阈值电压，MOS-FET管不导通。 因此，“高电压”部分的总线可以通过其上拉电阻Rp引出到5V。 此时，两条总线均为高电平，但电压电平不同。
两个3.3V设备将总线下拉到低电平。 MOS-FET管的源极也变为低电平，栅极为3.3V。 VGS上升到阈值以上，MOS-FET管开始导通。 然后，“高电压”部分的总线通过导通的MOS-FET管被3.3V器件降低到低电平。 此时，两条总线均为低电平，且电压电平相同。
将5V设备的下拉总线设置为3个低电平。 将MOS-FET管漏极基极二极管的“低电压”部分降低到VGS超过阈值，MOS-FET管开始导通。 “低电压”部分的总线通过导通的MOS-FET管被5V器件进一步降低到低电平。 此时，两条总线均为低电平，且电压电平相同。
这三种状态表明，逻辑电平在总线系统的两个方向上传播，而与驱动的部分无关。 状态1执行了电平转换功能。 状态2和3根据I2C总线标准的要求，在两部分总线之间实现“与线”功能。
除了3.3V VDD1和5V VDD2的电源电压以外，例如也可以是2V VDD1和10V VDD2。 正常操作要求VDD2至少为VDD1。 接通电源时，请确保VDD2在VDD1以下。
适用于MOS-N场效应晶体管双向电平转换电路---低频信号电平转换的简单应用
适用于MOS-N场效应晶体管双向电平转换电路---低频信号电平转换的简单应用
(原文件名：MOS-N场效应晶体管双向电平转换电路. jpg )
如上图所示，是MOS-N场效应晶体管的双向电平转换电路。
双向传输原理：
为了便于说明，将3.3V定义为a侧，将5.0V定义为b侧。
a端子输出为低电平(0V )时，MOS管导通，b端子输出为低电平(0V )
a端子输出为高电平(3.3V )时，MOS管断开，b端子输出为高电平(5V )
a端子输出为高电阻时(OC )，MOS管被切断，b端子输出为高电平) 5V )
b端子输出为低电平(0V )时，MOS管内二极管导通，从而MOS管导通，a端子输出为低电平(0V )
b端子输出为高电平(5V )时，MOS管被切断，a端子输出为高电平(3.3V )
b端子输出为高电阻时(OC )，MOS管被切断，a端子输出为高电平) 3.3V )
好处：
1、适用于低频信号的电平转换，价格低廉。
2、导通后，电压降小于晶体管。
3、正反双向导通，相当于机械开关。
4、电压型驱动，当然需要一定的驱动电流，而且也可能有比晶体管更大的应用。