一、MOS管驱动简述
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源。 MOSFET的驱动大多根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。 使用MOSFET设计开关电源时，大多数人会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压和最大电流。
但是，在许多情况下，只考虑这些因素，这样的电路可能正常工作，但不是好的设计方案。 更详细地说，MOSFET还应该考虑自身寄生的参数。 对于特定的MOSFET，其驱动电路、驱动引脚输出的峰值电流、上升速度等都会影响MOSFET的开关性能。
选择电源IC和MOS管后，选择合适的驱动电路连接电源IC和MOS管显得尤为重要。
二、MOS管驱动要求
好的MOSFET驱动电路有以下要求。)1)在开关管导通的瞬间，驱动电路供给足够大的充电电流，使MOSFET栅极-源极之间的电压迅速上升到期望的值，保证开关管迅速导通，且没有上升沿的高频振荡。
)开关导通期间，驱动电路可以稳定且可靠地导通MOSFET的栅极-源极间电压。
3 )通过关闭瞬间驱动电路，可以迅速释放MOSFET栅极-源极之间的电容电压，从而可以迅速关闭开关管。
4 )驱动电路结构简单可靠，损耗小。
5 )根据情况加以隔离。
下面介绍几个
三、MOS管驱动实例
模块电源中常用的MOSFET驱动电路。1、电源IC直接驱动MOSFET
图1 IC直接驱动MOSFET
电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式。 使用该驱动方式时，应注意一些参数和这些参数的影响。
最大驱动峰值电流
不同芯片的驱动能力往往不同，需要注意驱动能力是否充分；
MOS管寄生电容
如图1的C1、C2的值所示。 C1、C2的值越大，MOS管导通所需的能量就越大，如果电源IC没有大的驱动峰值电流，管的导通速度就会变慢。 驱动能力不足时，上升沿可能会发生高频振动，即使减小图1的Rg也无法解决问题！ IC驱动能力、MOS寄生电容的大小、MOS管的开关速度等因素都影响驱动电阻的电阻值选择，因此不能使Rg无限小。
2、电源IC的驱动能力不足时
在选择MOS管的寄生电容比较大、电源IC内部的驱动能力不足的情况下，驱动电路需要增强驱动能力，大多使用图腾柱电路增加电源IC的驱动能力，其电路如图2的虚线框所示。
图2图腾柱驱动MOS
这种驱动电路的作用是提高电流供给能力，迅速完成对栅极输入电容的电荷充电过程。 该拓扑增加了导通所需的时间，但减少了截止时间，开关管迅速开通，可以避免上升沿的高频振动。
3、驱动电路加速MOS管的断开时间
关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如图3所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。
图4 改进型加速MOS关断
在第二点介绍的图腾柱电路也有加快关断作用。当电源IC的驱动能力足够时，对图2中电路改进可以加速MOS管关断时间，得到如图4所示电路。用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。与图3拓扑相比较，还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。
4、驱动电路加速MOS管关断时间
图5 隔离驱动
为了满足如图5所示高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。
除了以上驱动电路之外，还有很多其它形式的驱动电路。对于各种各样的驱动电路并没有一种驱动电路是最好的，只有结合具体应用，选择最合适的驱动。
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