在内存芯片领域，DRAM内存和NAND闪存的国产率都差不多为0，技术和产能主要掌握在三星、SK Hynix、美光、东芝等公司手中，尤其是昂贵的DRAM内存芯片，SK Hynix、SK Hynix、
国内DRAM内存芯片配置主要有合肥长鑫/兆易创新的内存芯片项目，福建晋华与台联电合作的内存项目因被美国制裁而陷入困境。 除了DRAM芯片之外，国内也有公司以存储器接口芯片为主力。 前几天发布了津逮捕系列国产X86处理器的杭州澜起科技就是其中之一，该公司正在申请发售国内的科技开发板，前几天在招股书上明确了在DDR存储器芯片的技术进展和布局。
澜起科技成立于2004年，是全球内存接口芯片的主要供应商之一，凭借先进的技术水平，在DDR4阶段确立了行业领先优势，2018年营业收入175，766.46万元，净利润73，687.7万元。
波澜科技发明了DDR4全缓冲“19”的框架，最终被JEDEC国际标准采用。 公司利用拥有自主知识产权的高速、低功耗技术，为新一代服务器平台提供完全符合JEDEC标准的高性能存储器接口解决方案，同时积极参与DDR5 JEDEC标准的制定，全球范围内DDR2到DDR4存储器的全缓冲，
目前，公司正根据内存模块制造商的研发进度，积极布局开发DDR5内存接口芯片，新一代产品能够有效支持DDR5的高速、低功耗等要求。
根据澜起科技公告，为了加强公司在内存接口芯片业务领域的市场领先地位，未来三年完成了第一代DDR5内存接口芯片的开发和产业化。