00-1010场效应晶体管(FET)是一种半导体器件，也称为单极晶体管，它通过输入电路的电场效应来控制输出电路电流。上面提到的晶体管指的是双极晶体管。一般输入电路具有更高的内阻，更好的温度稳定性，抗干扰能力强，噪声低，这些都是晶体管所不具备的优点。

物理绘图：

AO3402N沟道增强型场效应晶体管

金属氧化物半导体场效应晶体管

分类：结绝缘栅型

本文介绍结型场效应管，后续文章更新绝缘栅场效应管。

00-1010分类：n通道p通道

n通道管：

N沟道结型场效应晶体管结构示意图

p型通道管：

p沟道结型场效应晶体管结构示意图

结型场效应晶体管符号

三个电极：栅极G、漏极D、源极s。

什么是场效应管？

先决条件：在N沟道晶体管的栅极和源极之间施加负电压(Ugs0)，Ugs夹断电压；在漏极和源极之间增加直流电压(Uds0)。

流程1:

UgdUgs(关闭)

Uds0确保电流id从漏极流向源极，因此沟道中各点与栅极之间的电压发生变化，导电沟道不再是相同的宽度，靠近漏极的一侧比靠近源极的一侧窄。

流程2:

Ugd=Ugs(关)

因为Ugd=Ugs-Uds，当Uds逐渐增大时，Ugd逐渐减小，但只要没有达到栅漏之间的夹断电压，沟道电阻就会由栅源电压决定，此时D-S呈现出电阻特性。当Ugs=Ugs(off)，即预夹断夹断时，此时如果Uds继续增大，夹断面积会逐渐扩大，出现过程3现象。

流程3:

UgdUgs(关闭)

在此过程中，夹断面积继续扩大，id逐渐减小。但是由于Uds的增加，D-S之间的电场会增加，id会再次增加。一增一减基本抵消，所以id基本不变。此时，id几乎由Ugs决定，id的恒流特性出现。

00-1010当Uds是常数并且Ugs被确定时，id也被确定。此时，Ugs控制id的大小，也就是常说的漏极电流由栅源电压控制，所以FET是一个电压控制元件。集电极电流由模拟晶体管的基极电流控制。

低频跨导公式：gm=id/Ugs

00-10101)当Ugd=Ugs-UdsUgs(off)时，不同的Ugs对应于d-S之间的不同电阻。

2)当Ugd=Ugs(关)时，d-s被预先掐掉。

3)当Uds持续增加，使UgdUgs(关闭)时，id只依赖于Ugs。

结型场效应管

场效应晶体管的输出特性曲线

可变电阻区：D和S之间的电阻随着Ugs电压的变化而变化。恒流区(饱和区):当Uds增大时，id不再发生明显变化，此时几乎受电压Ugs控制。一般使用场效应管作为放大器时，工作在恒流区。夹断区：当UgsUgs(off)时，导电通道被夹断，id几乎为0。上图中，当Ugs-2v时，击穿区域：Uds不断增大，漏极电流会突然增大，管会击穿。此外，为了保证结型场效应管栅极和源极之间的耗尽层为反向电压，N沟道晶体管和P沟道晶体管需要另一个Ugs0v和另一个Ugs0v。

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