什么是TTL等级？
TTL电平信号是计算机处理器控制的设备内部数据传输的理想选择。首先，计算机处理器控制的设备内部数据传输对电源要求低，热损耗低。此外，TTL电平信号直接与集成电路相连，无需昂贵的线路驱动器和接收器电路。此外，计算机处理器控制的设备内部数据传输是高速进行的，TTL接口的操作正好可以满足这一要求。大多数情况下，TTL通信采用并行数据传输，并行数据传输不适合超过10英尺的距离。这是由于可靠性和成本。由于并联接口存在相位偏差和不对称问题，这些问题对可靠性有影响。此外，对于并行数据传输，电缆和连接器的成本高于串行通信。
TTL电路的电平称为TTL电平，CMOS电路的电平称为CMOS电平。
TTL集成电路的全称是晶体管-晶体管逻辑，主要包括54/74标准TTL、高速TTL(H-TTL)、低功耗TTL(L-TTL)、肖特基TTL(S-TTL)和低功耗肖特基TTL(LS-TTL)五大系列。标准TTL输入高电平最低2V，输出高电平最低2.4V，典型值3.4V，输入低电平最高0.8V，输出低电平最高0.4V，典型值0.2V V. S-TTL输入高电平最低2V，输出高电平最低I类2.5V，II类和III类2.7V，典型值3.4V，输入低电平最高0.8V，输出低电平最高0.5V . LS-TTL的最低输入电平为2V，a 典型值3.4V，I类0.7V，II类和III类0.8V的最大输入电平，I类0.4V，II类和III类0.5V的最大输出电平，典型值0.25v，TTL电路VDD的供电只允许在5V10%的范围内，扇出数小于10个TTL门。
COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体集成电路的英文缩写。电路的许多基本逻辑单元由增强型PMOS晶体管和增强型NMOS晶体管互补对称连接，静态功耗很小。COMS电路的电源电压VDD可以在5 - 15V的宽范围内正常工作，电压波动允许在10。当输出电压高于VDD-0.5V时，为逻辑1；当输出电压低于VSS 0.5V(VSS为数字地)时，为逻辑0，扇出数为10-20个COMS门。
由于数据表示通常采用二进制规则，5V相当于逻辑‘1’，0V相当于逻辑‘0’，因此多采用TTL电平信号。这就是所谓的TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统，它是由计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。TTL电平信号是计算机处理器控制的设备内部数据传输的理想选择。首先，计算机处理器控制的设备内部数据传输对电源要求低，热损耗低。此外，TTL电平信号直接与集成电路相连，无需昂贵的线路驱动器和接收器电路。此外，计算机处理器控制的设备内部数据传输是高速进行的，TTL接口的操作正好可以满足这一要求。大多数情况下，TTL通信采用并行数据传输，并行数据传输不适合超过10英尺的距离。这是由于可靠性和成本。由于并联接口存在相位偏差和不对称问题，这些问题对可靠性有影响。此外，对于并行数据传输，电缆和连接器的成本高于串行通信。CMOS电平和TTL电平： CMOS电平的电压范围为3 ~ 15v，例如4000系列在5V供电时，输出高在4.6以上，输出低在0.05V以下，输入电平高在3.5V以上，输入电平低在1.5V V以下，对于TTL芯片，供电范围为0 ~ 5V，通常为5V。比如74系列5V电源，2.7V以上输出为高电平，0~5V以下输出为低电平，2V以上输入为高电平，0.8V以下输入为低电平。因此，CMOS电路和TTL电路都存在电平转换的问题，使得它们的电平域值可以匹配。
TTL电平和CMOS电平的区别：
(1) TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V
CMOS Vcc电平可以达到12V。
CMOS电路的高输出电平约为0.9Vcc，而低输出电平约为0.1Vcc。
CMOS电路未使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路未使用的输入端处于高电平。
此外，CMOS集成电路的电源电压可以在很宽的范围内变化，因此对电源的要求没有TTL集成电路那么严格。与TTL水平，他们可以兼容。
(2) TTL电平为5V，CMOS电平一般为12V。
因为TTL电路电源电压为5V，所以CMOS电路电源电压一般为12V。
5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，所以不能兼容。
(3) TTL等级标准
输出：0.8v高：2.4V .
l:1.2v；高：2.0V
TTL器件输出低电平应小于0.8V，高电平应大于2.4V，输入低于1.2V，视为0，高于2.0，视为1。
CMOS级：
产量：0.1 * VCC；H:0.9*Vcc .
输入：0.3 * VCC；H:0.7*Vcc。
通用单片机、数字信号处理器
PGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配(VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的)。有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行。
74LS和54系列是TTL电路，74HC是CMOS电路。如果它们的序号相同，则逻辑功能一样，但电气性能和动态性能略有不同。如，TTL的逻辑高电平为> 2.7V,CMOS为> 3.6V。如果CMOS电路的前一级为TTL则隐藏着不可靠隐患，反之则没问题。
1.TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2.CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3.电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v)，所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
4.OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5.TTL和COMS电路比较：
1)TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3)COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：
1)在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2)芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3)在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4)当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源;关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
6.COMS电路的使用注意事项
1)COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2)输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
3)当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
4)当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
5)COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
7.TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理)：
1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。
8.TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢?那是因为当三机管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出;OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。
所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
9.什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别?
TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。
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【原标题：什么是TTL电平、CMOS电平？区别？】