什么是ROM、EPROM、EEPROM、闪存ROM、RAM？
书柜摘录：
NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的非易失性闪存技术。 Intel于1988年首先开发了NOR Flash技术，彻底改变了EPROM和EEPROM统治世界的状况。 紧接着，1989年，东芝推出了NAND Flash结构，强调降低了每比特的成本，具有更高的性能，使ajdhn可以像磁盘一样通过界面轻松升级。 NOR Flash的特点是芯片内执行(XIP，eXecute In Place )，这使得APP应用ajdhn直接在闪存内工作。 不需要将代码读入系统RAM。 NOR Flash传输效率高，容量小至1~4MB，经济实惠，但写入/擦除速度低对性能有很大影响。 NAND Flash结构提供非常高的单元密度，ajdhn达到了很高的存储密度，写入和探险的速度也很快。 应用NAND Flash的困难在于，管理Flash需要特殊的系统界面。 通常，NOR Flash的读取速度比NAND Flash稍快，NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多，因此在设计时需要考虑这些情况。=========================================================================================
日志1 :
ROM和RAM都指半导体存储器，ROM是只读存储器的缩写，RAM是随机存取存储器的缩写。 ROM在系统断电时仍会保留数据，但RAM通常会在断电后丢失数据。 典型的RAM是计算机的存储器。 ROM
ROM是指“只读存储器”，即只读存储器。 这是电路最简单的半导体电路，通过掩模工艺，一次制造，其中的代码和数据永久存储，无法修改。 微机发展初期，BIOS均储存在rom (只读存储器)。 如果发现内部数据有错误，就只能扔掉再订购。
PROM
PROM是可编程只读存储器，它是“可编程只读存储器”。 此类产品也称为“One Time Progarmming ROM，OTP-ROM”，因为只允许写入一次。 PROM在出厂时，所存储的内容都是1，用户可以根据需要将其中的部分单元写入数据0，有些PROM在出厂时数据全部为0的情况下，用户可以将其中的部分单元写入1 PROM的典型产品是“双极熔丝结构”，想改写某个单元时，通过在这些单元中通入足够的电流，维持一定时间，可以达到原熔丝熔断，改写某个比特的效果。 另一个典型的PROM是使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管反向截止，或者采用大电流的方法将反相电压施加到“肖特基二极管”上，使其永久击穿即可。 PROM一旦写入就不能修改。 发生错误时，写入的芯片只能丢弃。
EPROM
EPROM是一种“可重写可编程只读存储器”，是一种可擦除可编程只读存储器。 其特点是具有擦除功能，擦除后可以重新编程，但其缺点是擦除需要照射一定时间的紫外线。 这种类型的芯片特别容易识别，其封装包括“石英玻璃窗”，编程的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般覆盖有黑色不干胶，避免阳光直射。
ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH、RAM、SRAM、DRAM、SDRAM和DDR SDRAM内存概念分析-容易-容易
EEPROM
EEPROM是“电可擦可编程只读存储器”，是一种电可擦可编程只读存储器。 最大的优点是可以直接用电信号擦除，也可以用电信号写入。 考虑到EPROM操作不便，后来推出的主板BIOS ROM芯片大部分采用EEPROM。 EEPROM擦除不需要依赖其他设备，而是通过电子信号修改内容，而且以Byte为最小修改单位，不需要全部洗掉数据进行写入，完全摆脱了EPROM Eraser和程序员的束缚。 EEPROM是一种双电压芯片，因为写入数据时利用的是恒定的编程电压，在这种情况下，只需使用制造商提供的专用刷新程序即可轻松改写内容。 由于EEPROM芯片的双电压特性，使BIOS具有良好的防病毒功能，升级时只要将跳线开关置于“ON”位置，即芯片加上相应的编程电压，即可轻松升级在日常使用中，将跳线开关置于“OFF”位置，以防止病毒非法修复BIOS芯片。
闪存rom
闪存是指“闪存”。 “闪存”是一种非易失性存储器，也是EEPROM的改进产品，闪存是真正的单电压芯片，读写都是单电压的。 最大的特点是必须按块(Block或Sector )擦除，而EEPROM一次只能擦除一个字节。 闪存rom
是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存。Flash ROM的存储容量普遍大于EEPROM，约为512K到至8M KBit，由于大批量生产，价格也比较合适，很适合用来存放程序码，近年来已逐渐取代了EEPROM，广泛用于主板的BIOS ROM。另外，它还主要用于U盘，Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。ROM,PROM,EPROM,EEPROM,FLASH,RAM,SRAM,DRAM,SDRAM,DDR SDRAM存储器概念辨析 - 易 - 易
RAM 有两大类
静态RAM（Static RAM / SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
动态RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM / FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。其中DDR RAM（Double-Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的， 不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
RAM工作原理
SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，由于栅极漏电，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这样会造成数据丢失，因此需要一个额外电路进行内存刷新操作。刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于 1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。这也是DRAM中的D(Dynamic动态)的意思。由于DRAM只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。
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日志二：
常见存储器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失
RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的（两处蓝色字体内容有些不同），只要不掉电，信息是不会丢失的。DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。 SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。DRAM保留数据 的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
而通常人们所说的SDRAM 是DRAM 的一种，它是同步动态存储器，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在嵌入式系统中经常使用。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修 改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
Flash也是一种非易失性存储器（掉电不会丢失），它擦写方便，访问速度快，已大大取代了传统的EPROM的地位。由于它具有和ROM一样掉电不会丢失的特性，因此很多人称其为Flash ROM。FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速 取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U 盘）。
目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户 不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。