推挽输出：可以进行高、低输出，连接数字设备。
输出0时，N-MOS导通，P-MOS变为高电阻，输出0。
输出1时，N-MOS为高电阻，P-MOS导通，输出1 (不需要外部上拉电路)。
开路漏极输出：的输出端相当于晶体管的集电极，需要上拉电阻才能获得高电平状态，适合电流型驱动，吸收电流的能力相对较高(通常在20ma以内)。
输出0时，N-MOS导通，P-MOS不被激活，输出0。
在输出1的情况下，N-MOS为高电阻，不激活P-MOS，输出1 (需要外部上拉电路)； 可以读取I/o输入电平的变化，在此模式下可以将端口用作双向I/o。
我在网上找到了资料。 推挽电路：
上面的晶体管是n型晶体管，下面的晶体管是p型晶体管。 请注意控制端子、输入端子和输出端子。
Vin电压为v时，电流输入上方n型晶体管的控制端子，Q3导通，电流从上到下流动，向负载提供电流。
通过上面的n型晶体管向负载(Rload )提供电流，输入这就叫「推」
Vin电压为V-时，电流流过下方的晶体管，Q4导通，电流从上到下流动。
在、
通过下面的p型晶体管向负载(Rload )提供电流，输入这就叫「挽」
以上为推挽(push-pull )电路。
那么，什么是泄漏呢？ 要理解遗漏，首先理解开集就可以了。
如图所示，打开集总意味着不与集电极c的一端进行任何连接，直接作为输出端口。
要使这种电路具有LED般的负载，必须连接上拉电阻。 就像这样。
Vin中没有电流，Q5为off时，LED点亮。
Vin中流过电流，Q5接通后，LED熄灭。
开路电路是指将上图中的晶体管变为场效应晶体管(MOSFET )。
n型场效应晶体管各端口的名称：
场效应晶体管是电压控制型部件，当向栅极施加电压时，DS导通。 结型场效应晶体管具有输入阻抗非常大的特性。 也就是说，电流不会从控制电路中流出，控制电路中也不会有电流进入。 如果没有电流的流入和流出，就不会烧毁控制电路。 另一方面，由于双极晶体管为电流控制元件，因此如果使用集电极电路，则可能会烧毁控制电路。 这就是我们总是听到开路，很少听到开路的原因吗？ 因为开集电路被淘汰了。
有人说，开漏单刀单置，推挽单刀双置，这样理解也是有道理的。
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