IGBT (绝缘栅双极型晶体管)是将功率晶体管和功率晶体管的优点复合而成的新型复合器件，兼有MOSFET的高速开关、电压驱动特性和双极型晶体管的低饱和电压特性，实现了大电流它既具有热稳定性好、驱动电路简单的优点，又具有导通电压低、耐压高、抗电流能力强的优点。
近年来，IGBT成为电力电子领域特别关注的电力电子器件，得到了越来越广泛的应用。 IGBT的测试变得特别重要。 IGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、短路测试、热阻测试等。 这些测试中最基本的测试是静态参数测试，只有在保证IGBT的静态参数没有问题的情况下，才在动态参数(开关时间、开关损耗、续流二极管的反向恢复)、短路、热阻方面进行测试这里首先介绍IGBT
IGBT静态参数包括BVCES、ICES、IGES、vge(th )、VCE (sat )、VF等。
1、BVCES :栅电极g和发射极e短路时，施加一定IC时，IGBT集电极c和发射极e之间的击穿电压。
2、ICES:在栅极g和发射极e短路时，在施加一定的VCE的情况下，产生IGBT的集电极c和发射极e之间的漏电流。
3、IGES:在集电极c和发射极e短路时，施加一定的VGE时，IGBT的栅极g和发射极e之间的漏电流。
4、VGE(th ) :在一定的IC下，为IGBT的导通电压。
5、VCE(sat ) :在栅极g和发射极间大于一定的vge(vge ) th )，用一定的IC施加IGBT的集电极c和发射极e间的饱和电压降。
6、VF:在一定的IE下，续流二极管有电压降。
要确定IGBT设备的好坏，必须测试这些参数。 测试结果与IGBT制造商提出的IGBT规格书的电气特性一栏中的范围进行比较，如果在范围内则为合格，否则为不合格。
如何能测量IGBT参数的结果呢？ 这需要基于器件datasheet中电气特性所示的测试条件，用几个电压源、电流源满足这些测试条件，将这些条件加到IGBT的端子上，用电压表、电流计测量值。 这种测试方法有效率低的缺点。 要测量一个参数，必须手动连接一条线。 测量6个参数必须连接6条线。 因为测试一个IGBT设备只需要这么多工作，所以这种方法既费时又费力，不建议使用。
测试IGBT还是要使用专业的测试设备，这里推荐IGBT专用的测试设备。 在易恩电气生产的EN-3020C IGBT静态参数测试系统中，系统标准电源可升级至3500v/1500a(6000v，4500A )。 可以测量IGBT模块、半桥模块、全桥模块、双单元模块、4单元模块、6单元模块、7单元模块。 适用于各大研究院进行的零部件检验、零部件工厂检验筛选及在线开发零部件的生产测试。 系统扩展性强，可选配提高电压、电流测试能力，增加测试品种范围。 自动测试可以满足用户的大规模生产需求，故障率低也能保证用户的工作效率。 在PC窗口提示下，输入被测器件的测试参数即可完成填表编程，操作人员无需具备专业的计算机编程语言知识，使用方便。 联系易恩电气152 4920 2572。