光耦合器(opticalcoupler，英文简称OC )也称为光隔离器或光耦合器，简称光耦合器。 一种以光为媒介传送电信号的装置，通常将发光器(红外发光二极管LED )与接收器(光电半导体管)封装在同一封装内。 当电信号被施加到输入端时，发光器发射光，并且接收器接收光，从而产生光电流，并且光电流从输出端流出，由此实现“电光-电光”转换。 以光为介质将输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于具有体积小、寿命长、无触点、抗干扰能力强、输出与输入之间绝缘、单向传输信号等优点，在数字电路中得到了广泛的应用。
耦合器以光为介质传输电信号。 它对电信号的输入输出有良好的隔离作用，因此在各种电路中得到了广泛的应用。 已成为目前种类最多、用途最广的光伏器件之一。 光电耦合器一般由三个部分组成。 光的发射、光的接收、信号的放大。 输入的电信号驱动发光二极管(LED )，产生一定波长的光，由光检测器接收并产生光电流，进而放大输出。 从而完成电光-电的转换，起到输入、输出、隔离的作用。 由于光电耦合器的输入输出之间相互隔离，电信号传输具有单向性等特点，因此具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。 因此，作为终端分离元件，可以在通过长线传输信息中大幅提高信噪比。 作为计算机数字通信和实时控制中信号隔离的接口器件，可以大大提高计算机工作的可靠性。
另外，由于光电耦合器的输入端子是电流型动作的低电阻元件，因此共模抑制能力较高。
光耦合驱动继电器电路图(1) )。
注：
1U1-1引脚既可以连接到12V，也可以连接到5V。 1U1导通，1Q1导通，1Q1-3=0V，线圈两端电压为11.7V。
1U1-1脚接地或不接地，1U1不通，1Q1断路，1Q1-3=11.9V，线圈两端电压0V。
注：
“DYD_CPU_OUT”连接到LPC2367，输出的高电平、高电平、1U4不通、1Q7不通、UCE=12V、1Q7-3=12V，线圈两端电压为0V。
DYD_CPU_OUT”为低电平，1U4导通，U43=1V，U3=11V，UCE=0V，1Q1-3=0V，线圈两端电压为11.7V。 上面的两幅图是低电平使能。
这两个适用于CPU初始化时GPIO端口为高电平的情况。 否则，初始化会导致误动作。
“DYD_CPU_OUT”连接到LPC2367，输出的高低电平、低电平、1U4不通、1Q7不通、UCE=12V、1Q7-3=12V，线圈两端电压为0V。
“DYD_CPU_OUT”为高电平，1U4接通，U43=1V，U3=11V，UCE=0V，1Q1-3=0V，线圈两端电压为11.7V。 此图为高水平启用。 继电器常闭触点接触负载。
2和3图中的1R16换成510欧元，1R7换成1K。 否则，接通电源的瞬间会产生高电平的噪声。 特别是在图3中，高电平有效。
光耦合驱动继电器电路图(2) )。
继电器开关模块由TLP521 -4、ULN2803、SRD -12VDC和晶体管构成，从微控制器输出的信号经过由晶体管构成的开关电路传送给TLP521 -4光耦合芯片，由ULN2803、2804构成继电器开关控制模块和微控制器的电路连接图3
光耦合驱动继电器电路图(3) )。
24V继电器的驱动电路
说明： VCC为5V。
继电器串联RC电路：
这种形式主要适用于继电器额定动作电压低于电源电压的电路。 当电路闭合时，继电器线圈通过自感现象产生电动势，阻碍线圈内电流的增大，因此吸附时间变长，串联RC电路可以缩短吸附时间。 其原理是，在电路闭合的瞬间，电容器c的两端电压急剧变化，无法视为短路，因此通过向线圈施加高于继电器线圈额定动作电压的电源电压，加快线圈中流过的电流增大的速度，使继电器迅速吸附。 电源稳定后，电容器c不起作用，电阻r起到电流限制的作用。
基极和发射极电阻的作用，实际上是为了在没有正向偏置电压的情况下，将基极电压设为零，防止由于来自晶体管外部的干扰导致的误导通，从而确保可靠性。 具体电阻值的大小不是绝对的，可以是10K也可以是100K，但只是起到下拉的作用，电流非常小。 该继电器驱动电路已通过验证，通断状态良好，在实际应用中宜将5V、24V两组直流电源接地分开，配合光藉实现真正的隔离效果。
光耦合驱动继电器电路图(四) )。
用光耦合驱动继电器电路
光耦合驱动继电器电路图(五) )。
光电耦合器用绝缘驱动电路
在微机接口电路中，实现主机与外围设备的隔离一般有两种方式。 一个是使用继电器。 另一个是使用光电耦合器。
采用电池功耗产品，必须优先考虑电池功耗，图中电路已被采用
光电耦合器作为隔离，电池的消耗电流可低至50μA以下，但驱动器提供的电流大于1A。此电路对元件的要求比较高，光电耦合器U1只能采用型号为CNY17F-4的正品元件，实验中试过十多种光电耦合器，仅此型号输入电流50μA时，电路即可工作，其余光电耦合器驱动电流都需几百微安以上。
Q1、Q2的耐压可根据两管工作输入电压的大小而定，若输入电压大于220V，需使用耐压高于400V的三极管与可控硅。
另外，对Q1要求穿透电流要小，对功率没有要求。对Q2要求触发电流小于15mA，否则可能会出现负半周削波的现象。
参考文献 http://www.eepw.com.cn/news/listbylabel/label/%E5%85%89%E8%80%A6https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA3OTM2NzUxOA==&mid=2651573824&idx=1&sn=9e0e4c4514f9320d1bbc7fca4e5e9e31&chksm=844bf271b33c7b6790add8fe739377f0830107cd95dd4190cb9e11cece5dc99cffdb8ec0e5f1&mpshare=1&scene=24&srcid=0819hqAateVmxBWZiXaQGxml&sharer_sharetime=1629363928398&sharer_shareid=f31a2d9bea8fe6bce82834cf71333cb3&exportkey=AcpX%2Bkwa6i0xtu8qQ%2BuCfNA%3D&pass_ticket=vRjZc%2Fm45o44Y%2Fn0PakIolyH9TU6MY6kxeJAZa3LlIywnp6mxXYxtB0F8iuiSkFF&wx_header=0#rd