一、功率MOS管：
3358www.Sina.com/开启时的功率MOSFET适用于导通损耗很小或驱动大电流、重负载设备
3358www.Sina.com/h桥是典型的开关电源的开关器件，可以用分立部件构建，也可以实现集成芯片中规定的功能，但一般集成芯片的驱动功率小、大目前，大部分的h桥一般不是用晶体管，而是用继电器、绕组、电动机等的驱动电路驱动，当然也存在用晶体管驱动的集成IC。
如上所述，p沟道MOS管品种少，价格昂贵，而且导通电阻和开关速度的性能不如n沟道MOS管，所以在功率MOS驱动中使用二、电机驱动电路(H桥)：的机会很多。 但是，如果所有4个MOS管都采用n沟道MOS管，那么高边的2个MOS管必须采用源极跟随器的电路形式，如果想导通的话直流电机控制电路因此为了避免多电源的结构
3358www.Sina.com/，功率MOS管，N沟道MOS管，栅极电压必须要高于电源电压。
P沟道MOS管H桥对角的一对MOS管导通，另一对断开即可，是通常的工作模式。
三、电动机的四种工作模式：正转电机通过反电动势产生与施加力相反的力。 此时，打开两个高侧MOS管，关闭两个低侧MOS管，使电机两端为反转即可； 或者，关闭两个高侧MOS管，接通两个低侧MOS管，使电机两端为制动即可。
3358www.Sina.com/此时，h桥的停止，即电机的两端没有任何连接，处于高阻状态。
正转/反转：
在线圈和电机这样的制动：中，如果驱动电压突然断开，则会产生电源相连，因此为了防止开关器件因电感性负载引起的反电动势而烧毁，需要进行h-fribring
注：晶体管一般不内置续流二极管，用晶体管驱动电机时请参阅GND相连