1、三级管驱动电路设计和使用的晶体管，必须全部为半导体晶体管。 也称为双极晶体管、晶体管，是控制电流的半导体器件。 其作用是将微弱的信号放大为振幅值大的电信号，也用作无触点开关。
晶体管是半导体的基本部件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心部件。 晶体管形成接近一个半导体衬底的两个PN结，两个PN结将整个半导体分成三部分，中间部分为基极区(b )，两侧部分为发射极区) e )和集电极区) c )，排列方式有PNP和NPN两种，如下。
1.1、NPN型晶体管
NPN型晶体管的集电极区域(c )与VCC连接负载，发射极区域) e )与GND连接是适合的，此时，当基极区域(b )的电压高于发射极区域) e )的0.7V时，NPN型晶体管基极区域(b )在高电平驱动下NPN型晶体管导通，在低电平驱动下截止。
在设计NPN型晶体管的驱动电路时，基极区域(b )除连接限流电阻外，最好从10~20K下拉电阻连接到GNG。 优点如下。
使基区（b）控制电平由高变低时，基区（b）能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；
系统刚上电时，基极是确定的低电平。
1.2、PNP型晶体管
PNP型晶体管的发射极区域(e )与VCC连接，集电极区域(c )与GND连接负载，此时基极区域(b )的电压低于发射极区域(e )的0.7V时，NPN型晶体管导通。 基极区域(b )在高电平驱动下PNP型晶体管截止，在低电平驱动下导通。
设计PNP型晶体管的驱动电路时，除基极区域(b )连接限流电阻外，最好连接到10~20K上拉电阻到VCC。 优点如下。
使基区（b）控制电平由低变高时，基区（b）能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止；
系统刚上电时，基极是确定的高电平。
NPN和PNP晶体管的电流放大满足以下条件。
三极管直流增益(/hFE )式为/hFEIc/Ib，因此选定/hFE=Ic/Ib=57mA/567uA100 )以上
IcIb Ie，因此为57mA567uA 57mA。
2、场效应晶体管驱动电路的设计与使用
场效应晶体管是利用场效应原理进行工作的半导体器件，与晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点。
场效应晶体管有结型场效应晶体管(JFET )和绝缘栅型场效应晶体管(MOSFET )两种，每种类型有n沟道和p沟道两种结构。 晶体管有栅极、源极、漏极三个引脚，分别相当于晶体管的基极区域(b )、发射极区域(e )、集电极区域(c )。 场效应晶体管的源极s和漏极d是对称的，因此在实用上是可以更换的。 晶体管和普通晶体管在外观上有相似之处，回路的符号分别如下。
以绝缘栅场效应晶体管(MOSFET )为例，简要介绍其驱动电路的设计和使用。
2.1、P-MOS场效应管
P-MOS场效应晶体管在源极(source )上连接VCC，在漏极(drain )上连接负载，栅极(gate )电压超过源极(source )电压(Vth )后，P-MOS场效应晶体管栅极(gate )由低电平驱动的P-MOS场效应晶体管导通，在高电平截止。
将下图的P-MOS场效应晶体管的阈值电压(Vth )设定为-1.5V，导通情况如下所示。
在设计P-MOS场效应晶体管驱动电路时，除了限流电阻之外，还连接10~20k的上拉电阻到VCC，将栅极控制电平从低变更为高时，拉得更快，P-MOS场效应晶体管拉得更快更可靠
2.2、N-MOS场效应管
N-MOS场效应晶体管适于在源极(source )上连接GND，在漏极(VCC )上连接VCC来进行负载，在栅极电压超过源极电压(Vth )之后，N-MOS场效应晶体管可以导通N-MOS场效应晶体管在高电平驱动下导通，在低电平下截止。
将下图的N-MOS场效应晶体管的阈值电压(Vth )设定为1.5V，导通情况如下所示。
N-MOS场效应晶体管的栅极(gate )除连接限流电阻外，还连接10~20k下拉电阻与GND连接，栅极)控制电平从高变为低时，降低得更快，N-MOS场效应晶体管的栅极