SLC（单层存储单元）:每单元存储1bit信息，只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快。
优点：寿命长，性能高
缺点：容量低，成本高
MLC（多层存储单元）:在每个单元中存储2位信息。 写入性能、可靠性下降了。
TLC（三层存储单元）:在每个单元中存储3bit的信息。 成本更低，写入速度慢，寿命比较短。
可称为QLC（四层存储单元）:或4bit MLC，电压有16种变化。 大容量的新型闪存
闪存粒子名称寿命速度价格适用于SLCx x x x xx x x x xx x x x x企业mlcxxxxxxxxxxx主流消费者QLCx xx xx轻度消费者QLCx xx xx数据存储量大的用户