耦合和隔离电容与电路串联，耦合电容的选择可以适当地确保RF能量的最大传输。 一个实际电容能否满足电路耦合要求，取决于随频率变化的电容相关参数，即串联谐振频率FSR、并联谐振频率FPR、纯阻抗、等效串联电阻ESR、插入损耗IL和品质因数q。
ATC耦合容量的相关参数如下。
这里，陶瓷介质电容ATC100a101(100pf )的FSR=1GHz，ESR=0.072，其Z-F曲线如下图所示。
ATC100a101(100pf芯片电容器，水平安装，电容器板与电路板平行) )插入损耗与频率关系如下图所示。
由上图可知，在200MHz~1.5GHz之间，电容插入损耗<； 0.1dB； 将电容器相对于基板垂直安装时，电容器板相对于基板垂直，可以压住1.6GHz下的并联谐振窗，电容器的可使用范围扩大到2.4GHz左右。 因此，通过改变安装方向来扩大电容器的适用频率范围，用于宽带耦合电路。
隔离电容器取值：(旁路电容器也以此取值) ) ) ) ) ) )。
在100MHz下取1000pF
在400MHz下取100pF
在900MHz下取33pF
1.2GHz为10pF
在2.5GHz下取5pF
在10GHz下取1~2pF
0.8pF大于2GHz采用陶瓷微波芯片电容器
用0.01uf的电容器测量100kHz信号的输出为-5dbm，更换为0.1uf的，输出为5dBm。 除满足x=1/wc外，频率过高时考虑q值，使用高q值微波电容的微波去耦电容也采用微带线设计，呈扇形、方形，尺寸与工作频率相关。
经验值：几十米或二三百的可以1000p，910p或七八百的。 一两个g的可以用100p左右的，二百也可以。 当频率达到十几十个g时，大致一个g使用1p，例如18G使用18p。