图1 MOS管驱动等效电路
仿真分析
如图所示MOS管驱动电路，定性分析可知，当MOS管关断时，MOS管两端应力为Vds，此时Vds向Cgd和Cgs充电，可能导致Vgs达到Vgs(th)导致MOS管误导通。
以英飞凌MOS管IMZA65R048M1H为例，相关寄生参数为
设此时应力Vds为600V，Cgs两端电压为
此时Vgs已经达到，管子开启电压Vgs(th)
如果Cgs两端并接电阻R=10k
此时Vgs会慢慢降为0，Vds基本落在Cgd两端，但是还是会有一个较高的电压尖峰，此时Cgs两端并联一个2.2nF的电容，此时可以发现电压尖峰只有2.2V左右，可以有效防止MOS管的误导通。
结论：
Cgs两端并接阻容可以有效防止MOS管的误导通。