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mos引脚示意图,MOS管开关电路原理图

时间:2023-05-05 07:41:58 阅读:54704 作者:1284

1 mos晶体管和晶体管是构成芯片的基础元件,分立mos、晶体管是我们平时电路中使用最多的。

mos是电压控制型元件,晶体管是电流控制型元件。 向mos的GS和晶体管的IB分别供给一定的电压和电流,mos的DS和晶体管的CE有相应的电压变化。 通过该变化,可以制作放大电路和开关电路,开关电路即放大电路的状态达到饱和状态。

今天共享MOS的两个开关电路

2 .电平转换电路

该电路是双向电平转换电路

分析: uc_io为低电平时,M1导通,V2电流流过R2,从M1的DS经过uc_io的低电平,实现PER_IO从高电平到低电平的跳变; 当数据从右向左发送时,由于m-1寄生二极管的作用,根据类似的分析原理,uc_io也等于PER_IO,即处于低电平;

当uc_io为高电平时,M1截止,per_io也为高电平。 同样,从右向左分析,uc_io也与per_io的水平一致。

该电路的优点:使用的部件少,电路设计容易。

缺点:要求MOS的接通速度。 也与巴士速度有关。 可以用于IIC和uart。

4 .电平反转电路

这也是常用的电路,常用于电源的控制端子、芯片的使能端子。

原理很简单,当VI为高电平时,M1导通,vo下降到GND,相反vo的输出较高。

5 .开关电路

今天我们共享一个常用的开关电路:

例如,LED指示器、蜂鸣器、光耦合开关等。

让我们来做一个简单的分析:

这是3904晶体管,NPN型,也可以置换为NMOS,所以是高电平驱动开关、低电平断路开关。 晶体管时,请注意R1和R2的值。 如果R1的值过大,晶体管将处于放大状态,因此设定为1K到4.7k,根据实际情况选择适当的基极电流使晶体管处于饱和状态。 另外,如果是R2,则为R2。该值一般是R1的5倍到10倍。 R3的值决定负载电流的实际大小,必须根据实际需求设定合理的值。 这里,绿色LED的驱动电流为4ma左右。

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