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开关电源电路图 接线,漏电流过大解决方案

时间:2023-05-06 11:54:25 阅读:54694 作者:3815

做硬件,积累经验。

共享一种情况: MOS管电源开关电路在接通电源时的冲击电流超过基准时如何解决呢?

下面是正文的部分。

—— 正文——

最近,有长期使用MOSFET发了停产通知的产品。 供应链部门找到了我们的研发部门,说供应商推荐了另一种模式作为兼容的替代,需要研发部门进行分析。 我粗略阅读了一下规格,以为到此结束,但为了给今年学校录用的新同事提供培训机会,部门经理为新同事yjddz分配了进行详细兼容的替代分析的任务

结果两天后,yjddz突然找到了我。 axdbq,这个替代MOS管是你的新项目无法替代的。

我? 不会吧,这不是15A的MOS管吧。 我的平均电流小于6A,峰值电流也小于8A。 为什么不能用? 我们计算出替代的MOS管的导通电阻增加了几毫米欧元,但耗散功率没有多少增加。 不可能有问题。

yjddz :不,其他参数没有问题。 超过了最大脉冲电流。 替代的MOS管这个指标只有40A。 以前是80A,但是你的新项目测量了60A。

我:不,这个电路使用很久了,一直没有问题。 新项目的耗电量略有增加,但没有那么大的脉冲电流。 板上大容量的总容量增长不大,你测错了吗?

yjddz :那你来看看吧。

啪~~~~~我的脸.

不是MOS管开关电路吗? So easy,闭着眼睛也能设计。 这里使用的是PMOS,只要将栅极提升到源极,再用一个开关控制将栅极提升到地面,开关接通时MOS管也导通,非常完美。

然后,得到了以下测试结果。 黄色的跟踪是漏极电流,紫色的是漏极电压,蓝色的是源极电压,绿色的是开关使能,橙色的是漏极电压乘以漏极电流得到电力。 是的,没错。 开关接通的瞬间漏极电流最大为60A。 此次替代MOS管的最大脉冲电流为40A,该设计看来确实不安全。

但是,我还没有接受。 该电路以前也使用过,也详细测量过不会产生那么大的脉冲电流。 在新项目中,我们在MOS管后面添加了电容器,但电容器的总容量实际上并没有太大增加。 接通电源瞬间充电也不会产生那么大的电流。 一定是哪里搞错了吧。

虽然新项目的功耗增加了约30%,电源树的结构也与以前有很大不同,但在设计时,请将容量稍小但性能更好的多层陶瓷电容器(MLCC )放在负载电源附近,而不是增大板级大型蓄电容量的容量值,这样就可以了

多余进来的这些MLCC在恶作剧吗? 我们先用模拟验证一下。

电容器的ESL经常使模拟结果振动,所以这里电容器只使用ESR。 元件参数不是实际值,但足以说明问题。 在电容器的一端没有明确连接到某个电压的情况下,如果不人为地设定初始电压,模拟结果往往会发生错误,这里在C3上加上R5是出于这种考虑。 为了模拟冲击电流引起的电源变动,这里还简单地对总电源和电源线进行了建模。

仿真结果表明,合闸瞬间冲击电流在22A左右,在可控范围内。

现在,如果加上万恶的MLCC,与470uF的电解电容器相比,MLCC只有22uF。 而且. 60A的冲击电流增加了近3倍吗? 电容量的增加还不到1/10,冲击电流那么大一倍,这样翻车,我想还不行吧。

如果不使用MLCC而只是增大电解电容器的容量的话,请增加到2200uF。 增长了4倍以上呢。 结果,脉冲电流的最大值为24A。 整个充电过程只是变长了。

这是由于电容器ESR恶作剧,Vds,Id,Vgs(th)这些主要参数没太大区别,反正现有的应用远没达到器件的极限,所以直接替换是没啥问题的。而ESR非常小的MLCC接近于在接通电源的瞬间直接被地面切断,因此会有较大的冲击电流流动。

这次输给了直觉。 直观上,我们认为电容决定冲击电流,使用ESR较大的电解电容时,ESR限制住了流经电容的最大电流,所以冲击电流并不会太大,电容往往决定充电的总能量(或电流与时间的乘积)。

找到了fzdxmg。 现在的问题是如何改善。 最简单的改进方法是在MOS管中添加启动电路。 缓启动电路以前也没什么用,但这次设计偷懒,凭直觉觉得不会出问题,所以没有添加,就推翻了。

MOS管缓启动电路的思路非常简单,充分利用MOS管的线性区域,防止MOS管突然从截止跃至饱和即可。 也就是说,缓慢变化为Vgs而不是突变,MOS管在加电过程中相当于可变电阻,可以温柔地充电负载容量,而不是一下子吃掉胖子。

电容器两端的电压不能骤变,因此在MOS管的栅极和源极之间架设电容器,栅极通过电阻或恒流源缓慢地向电容器放电接地,而不是简单的粗暴开关,从而使Vgs缓慢地变化

仿真结果表明,冲击电流从60A降至小于15A,完全不用担心MOS管罢工。 缓启动增加了加电延迟,但对总交换机没有太严格的加电时机要求,不是大问题。

但是,这个缓启动电路带来了另一个大问题。 就是电源关闭延迟,电力上升

延时要严重的多(这应该很容易想明白)。好在我这里是总开关,所以掉电延时也不是什么严重的问题,不过如果是用MOS管做严格的上下电时序控制,这就是个很严重的问题了。对时序控制要求高的场合,还是用专门的负载开关去处理吧,分立MOS开关搞起来就太折腾了。

当然这套简单的缓启动电路缺点还有不少,实际使用中还得根据实际情况进行调整,电路还会更复杂(比如在栅源间跨接二极管解决源极电源突然掉电又恢复时,电路锁定在之前状态的问题),这里就不再展开了。

实际电路中加入缓启动电路再测试,和预期的一样有很大改善。

—— The End ——

本文转自知乎|kldlt,点击“阅读原文”可访问原文。

注解:

1、作者使用的仿真软件是LTspice。

2、电容的ESR对电路的影响,这个案例可以让大家有真切感受。

3、文中对“MOS管缓启动(又叫软启动)电路”没有进行详细分析,强烈建议阅读文章 精准电流走向分析,带软开启功能的MOS管电源开关电路!

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