1 .场效应晶体管(FET )是利用控制输入电路的场效应来控制输出电路的电流的半导体装置，属于压控型半导体装置。 具有输入电阻高(107(1015)、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、无二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
2 .场效应晶体管的操作原理是：“沟道在漏极和源极之间流动的ID通过栅极和沟道之间的pn结的反向偏置的栅极电压控制ID”。
更确切地说，ID流过的通道的宽度，即通道截面积，由pn结的反向偏置的变化引起的耗尽层扩展的变化所控制。 在VGS=0的非饱和区域中，所显示的过渡层的扩展不是很大，因此在漏极-源极之间施加的VDS的电场的作用下，源极区域中的电子被漏极吸引，即，电流ID从漏极流向源极。
从栅电极扩展到漏电极的过剩层将沟道的一部分构成为闭塞型，ID饱和。 这种状态称为夹断。 这意味着过渡层阻塞了一部分通道，所以并不意味着中断电流。
由于过渡层中没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎都具有绝缘特性，通常电流也难以流动。 但是，此时的漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层与漏极和栅极下部附近接触，由漂移电场引起的高速电子通过过渡层。 漂移电场的强度几乎不变，因此会发生ID的饱和现象。
接下来，使vgs向负方向变化，以使VGS=vgs(off )。 此时，过渡层成为几乎覆盖整个区域的状态。 另外，VDS的电场的大部分施加在过渡层上，将电子向漂移方向拉伸的电场只有接近源极的极短的部分，因此不会流过电流。
3 .作用：
1 .场效应管可应用于放大。 由于场效应放大器的输入阻抗高，可以减小耦合电容，不需要使用电解电容器。
2 .场效应管高输入阻抗最适合阻抗转换。 在多级放大器的输入级常用于阻抗转换。
3 .场效应管可用作可变电阻。
4 .场效应器可以方便地用作恒流源。
5 .场效应管可以用作电子开关。
场效应管APM4953KC-TRG
品牌：台湾茂达
型号： APM9435KC-TRG
类型：驱动集成电路
封装： SOP-8
批号： 2013
数据扩展
场效应管和晶体管各自的应用特点
1 .场效应晶体管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于晶体管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2 .场效应晶体管是压控电流器件，由vGS控制iD，其放大率gm一般较小，因此场效应晶体管放大能力差； 晶体管是电流控制电流器件，由iB (或iE )控制集成电路。
3 .场效应晶体管的栅极几乎不摄取电流(ig？ 0； 晶体管工作时，基极必须经常吸入一定的电流。 因此，场效应晶体管的栅极输入电阻高于晶体管的输入电阻。
4 .场效应管由多子参与导电： 由于晶体管多子和少子两种载流子参与导电，少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，场效应晶体管比晶体管温度稳定性好，抗辐射能力强。 环境条件(温度等)变化较大时，请使用场效应管。
5 .场效应晶体管在连接源极金属和基板时，可以互换源极和漏极来使用，特性变化少； 如果将晶体管的集电极和发射极调换使用，特性会有很大差异，值会变得很小。
6 .场效应晶体管的噪声系数小，因此在低噪声放大电路的输入级和要求高信噪比的电路中，选择场效应晶体管。
7 .场效应晶体管和晶体管都可以构成各种放大电路和开关电路，但前者由于具有制造工艺简单、功耗少、热稳定性好、工作电源电压范围宽等优点，广泛用于大规模和超大规模集成电路。
8 .晶体管的导通电阻大，场效应晶体管的导通电阻小，只有几百毫欧姆。 现在的电气部件一般使用场效应晶体管作为开关。 他的效率比较高。
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