摘要： MOS管又称场效应管，是集成电路中绝缘的场效应管。 MOS全部称为金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor )即金属氧化物半导体，准确地说是描述了集成电路中MOS管的结构，即在一定结构的半导体器件中加入二氧化硅和金属形成栅极。 MOS管的source和drain可以互换，都是在p型背栅上形成的n型区域。
1.MOS管的工作原理--MOS管的概要
MOS管又称场效应管，是集成电路中绝缘的场效应管。 MOS全部称为金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor )即金属氧化物半导体，准确地说是描述了集成电路中MOS管的结构，即在一定结构的半导体器件中加入二氧化硅和金属形成栅极。 MOS管的source和drain可以互换，都是在p型背栅上形成的n型区域。 在许多情况下，两个区域相同，并且交换两端不影响设备的性能，并且认为这种设备是对称的。
2. MOS管的工作原理--Mos管的结构特点
MOS气管的内部结构如下图所示。 在其导通时，只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。 导电机理与小功率MOS管相同，但结构差异较大，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大多采用垂直导电结构，又称VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
其主要特点是金属栅与沟道之间有二氧化硅绝缘层，因此具有较高的输入电阻，当该管导通时，在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。 n沟道型增强型MOS管需要向栅极施加正向偏置电压，只有在栅极源极电压大于阈值电压时，才会产生基于导电沟道的n沟道型MOS管。 n沟道耗尽型MOS管是指在不施加栅极电压(栅极源极电压为零)时，产生导电沟道的n沟道MOS管。
3. MOS管工作原理--MOS管的特性
3.1MOS管的输入、输出特性
在源极接地法电路中，源极和基板之间被二氧化硅绝缘层隔离，因此栅极电流为0。
到了VGS
3.2MOS管的导通特性
MOS管作为开关元件，同样在断开或接通两种状态下工作。 由于MOS管是电压控制元件，因此工作状态主要由栅极源极电压uGS决定。 以NMOS管为例介绍其特性。
图(a )是由NMOS强化管构成的开关电路。
NMOS的特性在Vgs超过一定值时导通，因此适合源极接地(低端驱动)的情况。 栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性适用于源极连接VCC (高端驱动)，因为Vgs在低于一定值时导通。 虽然PMOS可以方便地用作高端驱动器，但由于导通电阻大、价格高、更换种类少等原因，高端驱动器通常使用NMOS。
4.MOS管工作原理
MOS晶体管的工作原理(n沟道型增强型MOS场效应晶体管)，其目的是利用VGS控制“感应电荷”的量，使由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况变化，控制漏极电流在管制造时，由于工艺过程在绝缘层中产生大量正离子，在界面的另一侧诱导了大量负电荷，这些负电荷接通高渗杂质的n区形成导电通道，即使VGS=0也具有大的漏极电流ID。 如果栅极电压变化，则沟道内诱发的电荷量也变化，导电沟道的宽度也变化，因此漏极电流ID根据栅极电压的变化而变化。
MOS管的分类
按沟道材料型和绝缘栅型分为n沟道和p沟道两种； 根据导电方式的不同，MOS管又可分为耗尽型和增强型，因此MOS场效应晶体管可分为n沟道耗尽型和增强型； p沟道消耗型和增强型4种： n沟道消耗型、n沟道增强型、p沟道消耗型、p沟道增强型。
MOS气管APP应用
MOS管最明显的特性是开关特性好，广泛应用于需要电子开关的电路中，常用于开关电源和电机驱动等，还有照明调光。 而且由MOS管构成的CMOS传感器为照相机提供了越来越高的画质，成就了更多的“摄影师”。
MOS管的工作原理-参考资料
1、MOS管的开关损耗-反激式分析
说明：用反激式分析MOS管开关损耗
2、MOSFET的工作原理
说明：功率MOSFET的结构和工作原理
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说明：将MOS管、晶体管用作开关时的区别