功率器件作为半导体产业的重要组成部分，有着非常广泛的技术分类和应用场景。 例如，以往的硅基二极管、IGBT、MOSFET等产品经过几十年的发展，占据了压倒性的市场份额。 但是，随着新能源汽车、数据中心、存储、手机快速充电等应用的兴起，更高耐压等级、更高开关频率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半导体功率器件持续受到业界的关注
目前，在生产技术不断优化、成本持续下降的情况下，老牌大厂和初创企业纷纷新增第三代半导体，SiC和GaN功率器件开始投入大量应用，迎来了重要的产能爬坡阶段。 作为半导体制造业的重要参与者，业界领先的ALD设备制造商和服务公司青岛四方思锐智能技术有限公司日前在2021年中国集成电路制造年会(CICD )上亮相，向业界展示了ALD技术在功率半导体制造环节的创新应用，是新开发局新挑战下行业发展的新亮点
思锐智能受邀参加2021年中国集成电路制造年会
ALD将与GaN合作，SRII的本地化布局将加快中国三代半供应链的构建
从第三代半导体功率APP来看，GaN无疑是率先突破的细分市场。 根据Yole Dveloppement最新调查报告，2026年全球GaN功率器件市场规模预计将增至11亿美元，年均复合增长率将达到70%，其中手机快充等消费市场将是未来2-3年的主要驱动力，新能源
在与CICD同步举行的“功率与化合物半导体”研讨会上，思锐智能总经理wwdrjb在演讲中表示：“面对市场方面的巨大需求，无论是外延工厂还是Fab，都在积极扩展目前的生产能力。 思锐智能作为生产设备的供应商，更能深刻地感受到行业生产能力的扩大在过去的1-2年间有着明显的增长率。 对此，我们很早就推出了量产型ALD沉积设备——Transform系列，广泛布局了国内的动力市场，帮助了我国第三代半导体产业的产能扩张需求。 日前，我们成功地向中国市场的第三代半导体领先客户提供了最新的Beneq Transform Lite设备，以加速GaN生产线的扩张。 ”
wwdrjb阐述了思维敏锐智能在第三代半导体领域的广泛布局
思锐智能最近成功提供了Beneq TransformTM Lite设备
研究表明，思锐智能先进的ALD涂层技术明显改善了GaN器件的综合性能，满足了批量生产的要求。 另一方面，ALD技术能够以一个原子的厚度(0.1nm )为精度实现基底表面的镀膜，这是区别于其他沉积工艺的一大优点，特别是在复杂的3D结构中能够实现高保形、高质量的薄膜生长，同时ALD具有广阔的工艺窗， 相对于SiC、GaN等功率和化合物材料，其器件的3D结构越来越复杂，对薄膜的要求也越来越高，因此ALD技术成为了这一领域的新宠。
研发合作致力于创新落地
面对业内大热的第三代半导体APP，思锐智能不仅在GaN器件的ALD涂层上实现了批量化的解决方案，而且ALD技术不断挖掘着传统硅基、SiC、GaN器件的创新应用潜力。 例如，思锐智能的子公司Beneq立足于欧洲，与多家研究机构合作开展这些领域的技术合作，致力于量产化的创新。 “当然，我们希望通过与国内机构和行业客户进行联合研发，采用基于ALD技术的创新APP，来提高设备的性能和便于批量生产。 ”wwdrjb说。
25枚8英寸晶片在batch工艺条件下的生产能力状况基于完全现实的周期时间和GPC、WiW、WtW，指标完全满足spec要求
同时，思锐智能扩展了旗下的Beneq Transform系列产品，以适应日益复杂的半导体涂层需求，全面瞄准集成电路、功率和化合物半导体及通用半导体的应用。 2019年以后，在欧洲，美国、日本、中国大陆、台湾地区全球知名的半导体客户量产线上使用，具有充分验证的工艺稳定性和设备稳定性。 同时，提供行业最完善的成熟批量生产工艺包，可以覆盖各类氧化物、氮化物等。 目前，“Transform”系列产品受到全球许多客户的订单。