ESD模式主要有人体放电模式HBM、设备放电模式MM、元件充电模式CDM种类，因ESD的产生原因和放电方式而异。 在HBM、MM模式下，电荷从外部通过Pin从IC进入内部，从Pin输出，而在CDM模式下，静电电荷从IC内部通过Pin释放到外部。 HBM等效模型中人体容量为100pF，人体放电电阻为1.5K； MM等效模型中等效容量为200pF； CDM等效模型的等效容量没有确定值。
ESD故障对芯片的损伤主要有热损伤和介质损伤两种机制。 热损伤的根本原因是短时间的瞬态大电流，半导体由于温度传导性差，散热性差，ESD电流能使硅层和布线金属的温度迅速上升。 介质损伤主要针对MOS管栅极氧层的损伤，栅极氧层很薄(约为特征尺寸的1/50 )，因此栅极氧所能承受的电压通常小于6V。 介质损伤一般是由CDM故障引起的。
IC ESD的防护是针对处理大的ESD电流和防止过大的电压两个方面的内容进行的。 作为对策，有：在应保护的电路/设备的旁边插入低阻抗的并联路径，以释放ESD的大电流，或者利用钳位电路，防止设备的两端电压过大。
一、ESD防护设备
在IC中加入对应的ESD防护器件和电路发射ESD，可以防止内部电路的故障。 加入ESD保护装置和电路的第一原则是不影响IC内部电路的正常工作。
1 )二进制
利用二极管的反向偏压击穿特性，反向偏压二极管可以是ESD保护器件。 但是，虽然正向二极管导通后电流会变大，但由于其导通电压过低，所以不能作为Pin和电源之间的负向ESD保护元件，可以通过二极管级联方式来增加导通电压。 通常的做法是，二极管通过Pin反向连接到电源和地面，对地打正ESD时对地二极管反向偏压击穿放电(但阈值电压较高)，对地打负ESD时对地二极管正向偏压放电)，阈值电源上加正ESD时，通过电源二极管进行正偏压放电，电源上加负ESD时，通过电源二极管进行反偏压放电。
2 ) BJT
利用BJT集电结的反偏压破坏能产生的snapback I-V关系。 以NPN为例，在基极和接地之间加入电阻。 该BJT结法为共射结构，此时的击穿电压被定义为open-base breakdown voltage，与发射结击穿电压相关。 正向ESD将集电结反向偏置，当电压超过第一衰变点阈值(由决定)时，集电结被破坏。 雪崩击穿产生的空穴进入基极，基极电流满足关系，击穿电流的方向是集电极即基极。 在基极发射极施加电阻时，基极电压大于发射极，发射极结偏正，发射极结的导通电压大于发射极结的导通电压后，BJT进入电流放大区域，集电极电压下降，BJT进入低阻抗区域，保持电压为发射极结的如果电流持续增大到二次衰变点，热功率将大于设备所能承受的极限值，设备将永久故障。 在反向ESD中，发射极电流方向朝向发射极内侧，基极电流方向朝向基极外侧，在外接电阻的作用下，发射极结偏正，BJT在电流放大区域工作。
测试设备snapback的一般方法是使用传输路径脉冲(TLP )的方法，通过利用传输路径阻抗匹配和反射原理产生特定宽度(ns电平)的特定高度的电压pulse，经常模拟ESD事件用其他设备测量元件的第一衰变点电压，以此作为充电电压的参考值。 测量开始时，可以阶段性增加充电电压，利用示波器观测元件的电压/电流值。 到了二次衰变点，电流急剧上升，产生电压急剧下降的波形。
版图上可以看出制造NMOS时就对应有寄生NPN BJT产生，而且寄生NPN中，基极(NMOS衬底)面积很大，在基区到基极路径上会有寄生电阻R。如果将NMOS的源端和衬底连在一起，寄生BJT的连接关系和2)中ESD防护电路完全一致。同理，PMOS管也存在寄生PNP BJT。因此MOS管利用寄生BJT也可以作为ESD防护器件，为了保证正常工作时MOS不导通且无漏电，NMOS栅端会接地、PMOS栅端会接电源，被形象地称为GGNMOS、GGPMOS。寄生 时的 击穿电压为 ，其与漏衬击穿电压 相关，一次崩溃点电压与 相关。
一次崩溃点电压、保持电压、二次崩溃点电压等参数都与寄生BJT相关，无法用仿真仿真MOSFET的snapback I-V曲线。此外，由于寄生PNP的ESD放电效率小于寄生NPN，因此GGPMOS尺寸会比GGNMOS要大。
二.ESD防护策略
1）多Finger MOS----GC-MOS
ESD保护器件通常比较大，多finger MOS器件在ESD到来时，由于各段finger寄生不同，各段的第一崩溃点电压也会有所差异。如果器件的 ，极有可能发生ESD事件到来后只有部分finger对ESD起作用，直至器件烧毁一些finger仍未导通。为了防止该现象的出现，设计时会使得 。
GC-MOS结构就是其中的一种方法。当有正的ESD发生时，由于电容的耦合作用栅电压 被提升，产生了额外的衬底电流，此时由衬底端流出的电流 变大(原来只有寄生BJT的基极电流)。由于电流变大，寄生电阻 上压降变大，寄生BJT在更小的反向电流小即可进入放大区，第一崩溃点电压变小。而 与 的关系呈现为抛物线，通过R、C(需把GCMOS的栅端寄生电容考虑进去)设计正向ESD到来时 为合适的电压，即可实现 。 太大容易发生Latch up， 太大容易发生栅氧损坏，因此设计存在折中考虑。
2）输入Pin的二级保护
输入Pin与MOS管栅端相连，而栅压耐压较小极易被ESD打坏，因此针对输入Pin ESD防护的策略上，有必要时会使用两级ESD防护，中间隔以电阻。第一级防护器件起主要ESD泄放作用，次级防护器件起辅助作用，其trigger触发阈值比第一级要大，而次级器件的阻抗需要比第一级高。
3）输出Pin的自保护
不像输入Pin接到MOS的栅端，输出Pin与MOS的漏端相连，因此输出Pin出现ESD损伤主要是烧坏金属的热损伤和输出MOS的寄生BJT的breakdown。输出MOS常常尺寸较大，因此只要流过输出器件的ESD电流不过大，具有ESD自保护的特性。设计ESD防护时，防护器件在ESD发生时要处于低阻抗以使得绝大部分ESD电流由防护器件流出。
4）Power Clamp
电源钳位电路主要放置在电源线和地线之间，保证在ESD到来时有低阻抗静电泄放通路，从而钳位电源总线为一个较低的电压值。最常使用的Power Clamp为NMOS Switch结构：用于放电NMOS的栅端有简单的控制逻辑控制。当有ESD正脉冲时，由于大电阻的作用，第一级反相器输出为正，再通过两级反向器整形和增大驱动能力，最终使得NMOS栅端为高，打开NMOS用于ESD电荷泄放。该电路泄放ESD能力可以通过仿真获得。
此外，也常用GGNMOS作为Power Clamp，在高压应用下，常以多个GGNMOS串联的方式作为Power Clamp。GGNMOS作为Power Clamp需要首先保证自己在ESD泄放时不被损坏，为了提高其承受ESD的能力，器件不会使用最小尺寸。电源线所接为PMOS的源端和衬底，ESD到来时GGNMOS通常会之于内部电路导通后慢慢崩溃导通，因此其不能有效地来保护IC内部电路。
5）芯片全局防护
在多电源多地的IC中，通常电源和地之间会加有Power Clamp，但不一定遍历电源和地的组合。此外，输入输出Pin与各电源和地间不可能全部都有ESD防护器件，即使有防护器件也可能只是只有单向(正向或负向)ESD防护作用。而ESD事件可能是任意pin与pin之间、pin与任意电源之间、pin与任意地之间发生的，所以为了防护所有情况下ESD事件的发生，整个ESD泄放路径上要保证足够低的阻抗。整个ESD泄放路径上必然会包括某条电源线或某条地线，泄放路径上这些线的阻抗对于ESD泄放是否顺畅则至关重要，需要合理布局Power Clamp。
三.工艺对ESD的影响
为了提高CMOS IC内部电路的运算速度、集成度以及器件可靠性，IC制程不断发展，但是这些制程的发展降低了IC ESD防护能力。随着MOS特征尺寸的缩小，MOS的栅氧厚度越来越薄，栅氧介质层越来越容易被ESD损坏。扩散层Silicided制程降低了MOS元件源漏区离散串联电阻、Polycide制程降低了MOS栅端离散串联电阻，Silicided+Polycide统称为Salicide。为了克服因热载流子效应所造成的I-V特性长时间漂移问题，LDD(Lightly-Doped Drain)轻掺杂漏制程用来降低MOS漏端在通道下的电场强度分布。而LDD深度很浅，等效在源漏极两端形成两个尖端，ESD时极易发生尖端放电现象，导致MOS器件被损坏。
为了克服LDD结构带来ESD防护能力的下降，制程中会有两种器件：一种为供内部电路使用的LDD结构器件，另一种是不具有LDD结构供I/O电路使用的器件。
为了提高器件ESD防护能力，Silicided-duffusion Blocking技术用于Silicided-duffusion的去除，使MOS元件具有较高的 和 。
