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我们常见的半导体集成电路分为双极集成电路工艺和MOS集成电路工艺，基本原理和特性可以参照晶体管和MOS管的特性记忆，但集成电路中的工艺比分立器件复杂很多。
今天向大家介绍MOS器件的特性——亚阈值特性。
我想大家都知道MOS器件的导通，有VT的阈值电压，VGS大于VT时MOS管导通。 无论是分立器件还是集成的MOS器件都是这个原理，但这是理想的MOS管，在实际工作时，如果VGS从0增加到接近VT，则这是一个过程，在此期间，理想上被认为不是MOS器件
MOS晶体管在VGSVT时，MOS晶体管并不总是处于截止状态，在栅极电压低于强反转层(反转层为源极和漏极之间的导电沟道)形成条件之前，沟道表面已经形成了弱反转层) 这意味着在域值没有达到时，MOS晶体管部分导通的现象，即亚阈值特性。
该特性有助于分析临界状态下的MOS管类的异常状态，例如考虑MOS开关是否在规定的阈值电压下打开了MOS管等。
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