静态随机存取存储器是一种随机存取存储器。静态意味着存储在该存储器中的数据只要通电就可以保持不变。当电源停止时，静态随机存取存储器中存储的数据仍然会消失，这与断电后可以存储数据的只读存储器或闪存不同。静态随机存取存储器可以存储存储在其中的数据，而无需刷新电路。因此，SRAM具有高性能和高速度。通常，小容量的静态随机存取存储器被用作高速中央处理器和低速动态随机存取存储器之间的缓冲器。静态随机存取存储器也有很多种，如ASync静态随机存取存储器、Sync静态随机存取存储器等。以下是由百代先进全CMO技术制造的4Mbit异步低功耗国产SRAM芯片EMI504HL08PM-55I国产SRAM芯片EMI504HL08PM-55I。该技术采用90nm全CMOS，位宽为512K8位，电源电压为4.5V ~5.5V V，采用封装32SOP，产品支持工业温度范围和芯片级封装，实现系统设计的用户灵活性。同时还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。封装引脚
关于安徽凌薇创新(EMI)安徽凌薇创新微电子有限公司是一家没有晶圆的市场化半导体公司。专注小众市场SRAM芯片/小SOC芯片及整体解决方案。第一代产品涉及千兆/万兆USB接口芯片和音视频接口芯片。提供创新、高品质、高性价比、供应稳定的芯片，通过提供软硬件交钥匙解决方案，降低客户研发难度，缩短客户量产进度。产品涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展示、专用通信和智能建筑等。