做射频的时候，在选择电感和电容的时候要特别注意他们的Q值，那么Q值是多少呢？Q是什么意思，为什么重要？
品质因数Q:表示储能装置(如电感线圈、电容等)储存能量的比值的质量指标。)和谐振电路每周都要损失能量。元件的q值越大，组成该元件的电路或网络的选择性越好。
或Q=无功功率/有功功率，或特性阻抗与回路电阻之比。
q值越高，损耗越小，效率越高。
q值越高，谐振器的频率稳定性越高，因此可以更精确。
如何理解Q值和ESR值来评价高频片式电容器的一个重要性能指标是品质因数Q，或与之相关的等效串联电阻(ESR)。
理论上，“完美”的电容器应该是零ESR和纯电容电阻的非阻抗元件。无论什么频率，电流都会比电压提前90度通过电容。其实电容是不完美的，或多或少会有一定的ESR值。特定电容的ESR随频率的变化而变化，存在方程关系。
这是因为ESR的来源是导电电极结构的特性和绝缘介质的结构特性。对于建模分析，等效串联电阻被视为单个串联寄生元件。过去，所有电容参数都是在1MHz的标准频率下测量的，但今天是一个更高频率的世界，1MHz的条件远远不够。性能优异的高频电容给出的典型参数应为200MHz，ESR=0.04900MHz，ESR=0.102000MHz，ESR=0.13，Q为无量纲数，数值上等于电容的电抗除以寄生电阻(ESR)。q随频率变化很大，因为电抗和电阻都随频率变化。或者频率和容量的变化会使电抗发生很大的变化，所以Q值也会发生很大的变化。
定义电容器的品质因数，即Q值，即电容器存储功率与损耗功率之比：
Qc=(1/C)/ESR
q是高频电容的一个重要参数。
自谐振频率
由于ESL的存在，与C形成谐振电路，其谐振频率为电容的自谐振频率。在自谐振频率之前，电容的阻抗随着频率的增加而减小；自谐振频率后，电容的阻抗随着频率的增加而变小，是电感性的。如下图所示：
随着频率的增加，电容的非理想模型变得更加复杂：
(C:电容器Rp:绝缘电阻和介质损耗Rs:引线/电极电阻L:引线/电极电感)
典型电容器件的等效电路如图1所示。在这个等效电路中，电容C是最重要的部分，串联电阻Rs和电感L是器件引脚或电极引起的寄生参数。并联电容Rp反映了两个引脚之间的电容。
考虑以上所有寄生参数后，阻抗公式如上。
由于这些寄生参数的存在，电容器件的总阻抗实际上由实部和虚部组成，如下式所示：
如果可以忽略电极间的漏电，即Rp的阻抗为无穷大(或Ls(ESL) Rs (ESR) C的阻抗远大于电容C)，那么上述等效电路可以进一步简化为以下3元模型(如图)。其中ESL为等效串联电感Ls，ESR为等效串联电阻Rs。
根据这个简化的电路模型，可以得到容性器件的总阻抗与频率的关系，如图所示。由于等效串联电感LS的存在，随着信号频率F的增大，电容C的容抗XC减小，而极性相反的等效串联电感Ls的感抗XL增大，在某一频率点f0，XC=-XL。此时，容性设备的总阻抗|Z|=Rs。我们称这个频率f0为自谐振频率(SRF)。当频率小于SRF频率时，器件变为容性，否则，它大于SRF频率。该设备
发生极性转化，成电感特性（如图下图所示，红色相位曲线从-90°跳变到+90°）。Q值相当于D值的倒数。损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000.
注：XC=-j/(2πfC)；XL=j(2πfL)
根据损耗因子D的定义：D=1/Q=R/|X|>0 将前面的公式代入，得到：
如果可以忽略电极间的泄漏，即Rp的阻抗无穷大（或远远大于相对于容值C的阻抗），损耗因子D的计算公式大大简化为：
如果信号频率远远小于SRF谐振频率，则X C >>X L , 即X L 可以忽略，则公式进一步简化
即上面提到的：
由图可见，电容器的引线电感将随着频率的升高而降低电容器的特性。如果引线电感与实际电容器的电容谐振，这将会产生一个串联谐振，使总电抗趋向为0W。由于这个串联谐振产生一个很小的串联阻抗，所以非常适合在射频电路的耦合和去耦电路中应用。然而，当电路的工作频率高于串联谐振频率时，该电容器将表现为电感性而不是电容性。